型号：IPW60R017C7

品牌：Infineon/英飞凌

封装：TO-247

最大漏源电流：495A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：17mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

封装尺寸：如图

特性：中低压MOS管

工作结温：-55~150

IPW60R017C7场效应管

IPW60R017C7的电性参数：最大漏源电流495A；漏源击穿电压650V、RDS（ON）Max：17mΩ

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