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代理Silicon Sensor  APD雪崩二极管（雪崩光电管）

(2011-05-17 16:26:29)
标签：

silicon

sensor

apd雪崩二极管

雪崩光电管

 分类： 光电二极管

德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商，具有很强的研发和制造能力，提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管，在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。

Silicon Sensor公司成立于1991年，总部位于柏林，并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部，目前有超过300名雇员。

Silicon Sensor公司的传感器产品有：PIN 光电二极管、雪崩光电二极管(APD)、位敏传感器(PSD)、波长敏感光电二极管、光电二极管阵列、四象限光电二极管；

产品的封装方式包括：芯片、晶圆、封装设备和模块；

产品特点为：低暗电流、低串联电阻、低电容、长的载流子寿命时间、低串扰、快速的响应。

 

请联系维尔克斯光电甘经理 13691916712, sales@welloptics.cn

 

雪崩二极管（APD）

 雪崩二极管用于探测微弱信号，具备快速响应的能力。雪崩二极管（APD）有5个系列的产品，它们的光谱响应曲线如下图所示，重要指标参数也在下表中给出，和PIN相比，表格中增加了击穿电压和温度系数。

http://s3/middle/734abdccta374a063a712&690Sensor  APD雪崩二极管（雪崩光电管）" TITLE="代理Silicon Sensor  APD雪崩二极管（雪崩光电管）" />

APD型号

特征

特性参数

应用领域

APD8

高速、高增益

上升沿时间ps量级

激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备

APD9

近红外波段增强

近红外响应增强

激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备

APD10

1064nm波段增强

1064nm波段响应增强

1064nm光追踪、测距、荧光探测

APD11

蓝光增强

蓝光波段响应增强

分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备

APD12

红光增强

蓝光响应强，暗电流<0.5nA

激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备

 

APD系列-8 高速/高增益

Order number

Type No.

Active Area

Dark current (nA)

Breakdown voltage (V)

Rise time (ns)

 

 

Chip

Package

Size (mm)

Area (mm²)

M = 100

 

M = 100

 

501810

AD100-8

LCC6.1

Ø 0,1

0,008

0,05

80 - 200*

max. 0,18

501811

AD100-8

LCC 6.1f

Ø 0,1

0,008

0,05

80 - 200*

max. 0,18

500011

AD100-8

TO52S1

Ø 0,1

0,008

0,05

80 - 200*

<0,180

501171

AD100-8

TO52S3

Ø 0,1

0,008

0,05

80 - 200*

<0,180

501078

AD230-8

LCC6.1

Ø 0,23

0,04

0,3

80 - 200*

typ. 0,18

501079

AD230-8

LCC6.1f

Ø 0,23

0,04

0,3

80 - 200*

typ. 0,18

500019

AD230-8

TO52S1

Ø 0,23

0,04

0,3

80 - 200*

0,18

500022

AD230-8

TO52S3

Ø 0,23

0,04

0,3

80 - 200*

0,18

501077

AD500-8

LCC6.1

Ø 0,5

0,2

0,5

80 - 200*

typ. 0,35

501076

AD500-8

LCC6.1f

Ø 0,5

0,2

0,5

80 - 200*

typ. 0,35

500030

AD500-8

TO52S1

Ø 0,5

0,2

0,5

80 - 200*

0,35

500305

AD500-8

TO52S2

Ø 0,5

0,2

0,5

80 - 200*

0,35

500155

AD500-8

TO52S3

Ø 0,5

0,2

0,5

80 - 200*

0,35

500947

AD800-8

TO52S1

Ø 0,8

0,5

2

80 - 240*

0,7

501117

AD1100-8

TO52S1

Ø 1,13

1

4 - 6

80 - 240*

1

500160

AD5000-8

TO8i

Ø 5

19,63

60

80 - 200*

3

500015

AD1900-8

TO5i

Ø 1,95

3

15

80 - 200*

1,4

501194

AD3000-8

TO5i

Ø 3

7,07

30

80 - 200*

2

APD系列-9 近红外（NIR）波段增强

Order number

Type No.

Active Area

Dark current (nA)

Breakdown voltage (V)

Rise time (ns)

 

 

 

Chip

Package

Size (mm)

Area (mm²)

M = 100

 

M = 100

 

 

500010

AD100-9

TO52S1

Ø 0,1

0,01

0,1

160 - 240*

min. 0,5

 

501195

AD100-9

TO52S3

Ø 0,1

0,01

0,1

160 - 240*

min. 0,5

 

501123

AD230-9

LCC6.1

Ø 0,23

0,04

0,5

160 - 240*

0,5

 

501817

AD230-9

LCC6.1f

Ø 0,23

0,04

0,5

160 - 240*

0,5

 

500020

AD230-9

TO52S1

Ø 0,23

0,04

0,5

160 - 240*

0,5

 

500023

AD230-9

TO52S3

Ø 0,23

0,04

0,5

160 - 240*

0,5

 

501122

AD500-9

LCC6.1

Ø 0,5

0,2

0,8

160 - 240*

0,55

 

501818

AD500-9

LCC6.1f

Ø 0,5

0,2

0,8

160 - 240*

0,55

 

500031

AD500-9

TO52S1

Ø 0,5

0,2

0,8

160 - 240*

0,55

 

500590

AD500-9

TO52S1F2

Ø 0,5

0,2

0,8

160 - 240*

0,55

 

500306

AD500-9

TO52S2

Ø 0,5

0,2

0,8

160 - 240*

0,55

 

500156

AD500-9

TO52S3

Ø 0,5

0,2

0,8

160 - 240*

0,55

 

501196

AD800-9

TO52S1

Ø 0,8

0,5

2

160 - 240*

0,9

 

501197

AD1100-9

TO52S1

Ø 1,13

1

4

160 - 240*

1,3

 

501208

AD1500-9

TO5i

Ø 1,5

1,77

2

160 - 240*

2

 

500161

AD5000-9

TO8i

Ø 5

19,63

60

160 - 240*

3

 

501198

AD3000-9

TO5i

Ø 3

7,07

30

160 - 240*

2

 

APD系列-10 1064nm波段增强

Order number

Type No.

Active Area

Dark current (nA)

Breakdown voltage (V)

 

 

 

Chip

Package

Size (mm)

Area (mm²)

M = Vop

 

 

 

500953

AD500-10

TO5i

Ø 0,5

0,2

1.5

220 - 600*

 

501233

AD800-10

TO5i

Ø 0,8

0,5

3

220 - 600*

 

 

500883

AD1500-10

TO5i

Ø 1,5

1,77

7

220 - 600*

 

 

501234

AD4000-10

TO8Si

Ø 4

12,56

50

220 - 600*

 

 

 Multi-Element Arrays

501174

QA4000-10

TO8Si

Quadrant Avalanche Photodiode, High QE at 850-1070nm

 

 Hybrid

501387

AD800-10

TO8Si

High speed, high gain, low noise, low power consumption hybrid (AD800-10 + TIA)

 

APD系列-11 蓝光增强

Order number

Type No.

Active Area

Dark current (nA)

Breakdown voltage (V)

Rise time (ns)

 

 

Chip

Package

Size (mm)

Area (mm²)

M = 100

 

410 nm | 50 Ω

 

500970

AD800-11

TO52S1

Ø 0,8

0,5

1

90 - 240*

1

500967

AD1900-11

TO5i

Ø 1,95

3

5

90 - 240*

2

APD系列-12 红光增强

Order number

Type No.

Active Area

Spectral Responsivity (A/W)

Capacitance (pF)

Cut-off frequency (GHz)

 

 

Chip

Package

Size (mm)

Area (mm²)

660 nm M = 100

M = 100 | 22 °C

660 nm, 50 Ω

 

preliminary

AD100-12

LCC6.1

Ø 0,1

0,008

50

typ. 0,5

typ. 3, min. 2

preliminary

AD100-12

LCC6.1f

Ø 0,1

0,008

44

typ. 0,5

typ. 3, min. 2

preliminary

AD100-12

TO52S1

Ø 0,1

0,008

50

typ. 0,5

typ. 3, min. 2

501157

AD230-12

LCC6.1

Ø 0,23

0,042

50

typ. 1,5

typ. 3, min. 2

501156

AD230-12

LCC6.1f

Ø 0,23

0,042

44

typ. 1,5

typ. 3, min. 2

501162

AD230-12

TO52S1

Ø 0,23

0,042

50

typ. 1,5

typ. 3, min. 2

501155

AD500-12

LCC6.1

Ø 0,5

0,196

50

typ. 4,5

typ. 3, min. 2

501154

AD500-12

LCC6.1f

Ø 0,5

0,196

44

typ. 4,5

typ. 3, min. 2

501163

AD500-12

TO52S1

Ø 0,5

0,196

50

typ. 4,5

typ. 3, min. 2

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