1.    产生原理

MOS晶体管中，栅下沟道预夹断后，若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应。

2.      对电流的影响

1)       Leff=L-△L，△L/L=KVds

2)       沟道调制效应使得Id/Vds 特性曲线在饱和区出线了非零斜率，因此D和S之间电流源非理想。

3)       下图为沟道调制效应引起的饱和区有限斜率。

http://s5/middle/6e6f8d2749fe6de7e9924&690

3.      在电流镜结构中如何减小沟道调制效应影响

1)       增加电流镜晶体管栅长。

2)       采用低压cascode电流镜结构。