在RC-IGBT中存在snapback效应，这种效应在很多的IGBT集成的电路中显示出不同的现象，叫做secondary snapback，这种效应的产生原因是：由于每个IBGBT下面的窗口不可能同时的使得pn结开启，这样在一个主要的snapback效应之后又会出现一些比较 小的snapack，这种效应一直会持续到电流达到最大电流的一半才会停止，也就是说这种现象出现的原因就是由于每个pn结的开启是有一定的时间延迟的。要抑制这个效应的话就应该从根本上考虑，产生snapack现象的原因就是电子注入与电导调制的不一致性，所以只要使得阳极的注入小一些就可以了。

   减小注入的方法有很多，前面已经介绍过一些，现在有一个方法就是在整个IGBT区下面开口的时候选择一部分不开，这样就能使得在IGBT与RC-IGBT之间有一个折中。研究发现snapack效应的最大电压值与N区的宽度没有关系它影响出现snapack效应时候的最大电流，而与两个n区之间的间隔宽度有很大的相关性，宽度越大电压越小，我们的设计就是在这两者之间折中考虑。

说到底就是增加空穴的注入效率，使得正向的时候它开启的快一些，同时又保证反向的时候能有好的通路就可以了。

    关于沟道类型，一般情况下p沟道的速度没有n沟道的快，原因是电子有更高的迁移率，也就是说同样条件下空穴的速度是电子的三人之一，不过在低速的IGBT中，由于大注入的电导调制作用使得两种沟道的速度基本没有什么区别，就像现在中国人口太多，上大学的也多，所以不论是哪里毕业的都找不到工作·······