https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0167577X21022138

Synthesis of cesium bismuth iodide perovskite using toluene as anti-solvent with higher photocurrent response

碘化铯铋（Cs3Bi2I9）钙钛矿具有低毒性，并且包括具有良好光吸收性能的空气稳定材料。然而，通过旋涂制备的Cs3Bi2I9膜的形态包含微/纳米结构的薄片，这对于构建光电子器件来说并不理想。在这项工作中，我们通过使用不同的抗溶剂滴落技术实施旋涂来制备并比较Cs3Bi2I9膜。使用甲苯作为抗溶剂制备的Cs3Bi2I9膜表现出最大的均匀性，包括小颗粒晶体，并表现出显著增加的光电流响应。

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2022/tc/d2tc00599a

Inch-size Cs3Bi2I9 polycrystalline wafers with near-intrinsic properties for ultralow-detection-limit X-ray detection

采用简单的球磨方法制备了Cs3Bi2I9粉末。对于球磨，我们称取3mmol的BiI3和4.5mmol的CsI，将它们简单混合并转移到含有小氧化锆球（球与材料的比例为10:1） 。粉末在高能球磨机中以400rpm研磨20分钟，然后研磨过程暂停10分钟以冷却罐。重复该过程，直到达到一小时的研磨时间。

Cs3Bi2I9多晶晶片的制造将1.54g所获得的Cs3Bi3I9粉末倒入模具中，并在150°C和10MPa压力下压制1小时。通过热压工艺，在高压和高温下使粉末变形，以生产具有镜面状表面的致密、暗红色的Cs3Bi2I9多晶晶片。晶片的直径为2厘米，厚度为950微米。

Semi-transparent, high-performance lead-free Cs3Bi2I9 single crystal self-driven photodetector

全无机Bi基钙钛矿由于其优异的稳定性、环境友好和低成本的溶液加工性而备受关注。然而，由于激子结合能大和光吸收系数小，Bi基钙钛矿光电探测器（PD）的性能远远落后于传统的Pb基钙钛矿PD。在这项工作中，无铅全无机 Cs3BiI9(CBI) 钙钛矿单晶是通过空间限制的反溶剂辅助结晶方法合成的，用于高性能、半透明和自驱动的 PDs，具有 ITO/SnO2个/CBI/PTAA/Au/ITO 结构。

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsami.9b09080

Air-Stable Lead-Free Perovskite Thin Film Based on CsBi3I10 and Its Application in Resistive Switching Devices

通过使用富CsI的前体溶液，通过简便的反溶剂辅助旋涂方法，可以制造出均匀且无针孔的CsBi 3 I 10薄膜。

CsBi3I10 precursor solution were prepared by dissolving 0.55 mmol CsI (>99.99% purity) and 1.27 mmol BiI3 (>99.99% purity) in 1 mL of 0.6 mL1,4-Butyrolactone (GBL) (>99.99%purity)/0.3 mL dimethyl sulfoxide (DMSO) (>99.99% purity)/0.1 mL Acetonitrile (>99.99%purity) solvent mixture.

钙钛矿层是通过反溶剂辅助结晶沉积的。其次，将溶液以1500rpm涂布15s，然后以3500rpm涂布35s；在旋涂期间将甲苯滴到基底的中心上。第三，将薄膜在80°C下退火20分钟以去除残留元素。

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/admi.202000162

Single-Source, Solvent-Free, Room Temperature Deposition of Black γ-CsSnI3 Films

这里报道了室温下单源真空沉积光滑的黑色γ-CsSnI 3薄膜。这是通过完全无溶剂混合CsI和SnI 2粉末并进行等静压制来制造固体靶材而完成的。通过在室温下对任意衬底上的固体靶材进行激光控制烧蚀，可形成CsSnI 3展示了具有最佳光学性能的薄膜。薄膜呈现1.32 eV的带隙，清晰的吸收边缘和近红外光致发光。

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S223878542301205X

Effect of source to the substrate distance on thermoelectric properties of copper nitride thin films grown by thermal evaporation method

通氮气蒸发铜粉制备Cu3N 薄膜       一种以氮气为源气的热蒸发法生长氮化铜薄膜的新方法

通过单源钙钛矿纳米颗粒蒸发生长混合钙钛矿薄膜

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.chemmater.8b03352

基于单源真空沉积，通过简单，快速和干燥的工艺制备了完全无机的卤化铯铅钙钛矿薄膜。我们研究了这样形成的膜的结构和光学特性，该结构与化学成分（形成氯化物，溴化物和碘化物膜），沉积后的热退火以及以前的钙钛矿粉的机械合成有关。我们发现，CsPbX3钙钛矿优先形成用于较小的卤化物，并且受到先前CsX和PbX2前体的球磨的青睐。当使用较大的卤化物和/或简单地将CsX和PbX2前体混合而不进行先前的真空机械合成时，富含PbX2的化合物（例如CsPb2X5）会优先在薄膜中形成。

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/er.7761

Sn 基钙钛矿是最有希望的环保无铅钙钛矿候选材料；然而，由快速结晶引起的 Sn 基钙钛矿薄膜的不均匀形态是一个主要问题。我们展示了如何 通过预合成 MASnI 3的单源蒸发均匀沉积纯 CH 3 NH 3 SnI 3 (CH 3 NH 3 = 甲基铵，MA)薄膜晶体。钙钛矿晶体通过在环境气氛下冷却结晶来合成，并通过控制加热速率升华而不分解。蒸发的薄膜在不同的温度和时间下进行后退火，产生了平均晶粒尺寸为 423 nm 的无针孔微结构。基于优化钙钛矿薄膜的平面型太阳能电池的平均功率转换效率 (PCE) 为 1.7% ± 0.1%。The perovskite crystals are synthesized by cooling crystallization under an ambient atmosphere and sublimed without decomposition by controlling the heating rate. 

https://pubs.aip.org/aip/apl/article-abstract/119/7/071901/1023063/Single-source-chemical-vapor-deposition-ssCVD-for?redirectedFrom=fulltext

用于高亮度无机卤化物钙钛矿薄膜的单源化学气相沉积 (ssCVD)

从 CsBr 和 PbBr 2 的无机前体制备了几种化学计量组合物通过干燥机械化学合成并随后蒸发。机械化学合成和 ssCVD 的结合是一种有吸引力的方法，因为它能够扩大到工业水平，并且可以通过单一来源精确控制蒸发速率。在所有成分 CsBr:PbBr 2 中，我们表明 CsPb 2 Br 5保持粉末和薄膜的相组成和光致发光特性。

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsphotonics.3c00438

Sub-stoichiometric mixing of metal halide powders and their single source evaporation for perovskite photovoltaics

高真空、单源热蒸发是钙钛矿光伏电池的一种颇具吸引力的沉积工艺。它保证以保形方式在大面积上均匀且精确控制地生长非常纯净且均匀的薄膜。在这项工作中，我们研究了机械合成的亚化学计量溴化铯-碘化铅前体、所得混合物的单源蒸发、随后沉积的金属卤化物薄膜和转化的钙钛矿薄膜。衍射图分析揭示了球磨过程中不存在新相形成。利用同步加速器原位掠入射广角 X 射线散射和能量色散 X 射线光谱，我们证明了蒸发过程中前驱体之间发生卤化物交换。还发现较高的溴化铯含量会导致薄膜中杂质较多。具有优化的溴化铯含量的概念验证光伏器件的效率达到 15%，光学带隙为 1.7 eV。

All-inorganic CsPbBr3 thin-film solar cells prepared by single-source physical vapor deposition   

Phase-Controlled Strategy for High-Quality Single-Source Vapor-Deposited Cs2AgBiBr6 Thin Films

看来梁广兴在SSPVD方面探索了很长时间了，只是做的器件效率都比较低，暂时不知是什么问题。  为什么还要把晶体研成粉末呢？ 直接蒸发不是更好吗？

结合单源化学气相沉积前驱物探索氮氧化钛薄膜的相空间

为了探索钛-氧-氮系统，选择的单源前体是四（二甲基氨基）钛和四异丙氧基钛，它们分别分别是氮化钛和二氧化钛薄膜的前体。所谓的双单源CVD方法是通过简单控制前体的比例，同时保持所有其他实验参数不变的方法，来沉积三元混合阴离子陶瓷膜的有效方法。

https://link.springer.com/article/10.1007/s10854-023-10450-6?utm_source=xmol&utm_medium=affiliate&utm_content=meta&utm_campaign=DDCN_1_GL01_metadata

使用不同硫源的 Cu3SbS3 的合成、表征和电化学性能        比较水热法和高温固相法反应

Cu 3 SbS 3 (CAS) 使用不同的硫前体，如 Na 2 S、硫脲 (TU)、硫代乙酸 (TAA)、硫代乙酰胺 (TAM) 和l-胱氨酸，通过水热反应合成。此外，它是由元素 Cu、Sb 和 S 通过直接固态反应制备的。通过 X 射线衍射 (XRD) 和场发射扫描电子显微镜研究了所制备的 Cu 3 SbS 3相的晶体结构和形态。

Cu3SbS3粉体采用直接熔融法成功合成

元素形式的铜、锑和硫在实验室磨机和工业磨机中用于单锅固态机械化学合成 skinnerite (Cu3SbS3)

溶剂介质在湿化学合成CuSbS2，Cu3SbS3和铋取代的Cu3SbS3中的作用

将固态（99.999%）的高纯度Cu、Sb和S化学元素在真空（10-5托）中密封在石英安瓿中。将密封的石英安瓿置于可编程熔炉（德国Nabertherm型）中的水平位置。对于合成，以20C/h的缓慢速率将炉的温度从室温升高到600，以避免由于硫蒸汽压力（493时为2个大气压，640时为10个大气压）引起的爆炸。温度保持恒定至600达24小时。

https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0364591621001085

没有研究 S-Sb 二元系统和 Cu-S-Sb 三元系统的热力学研究。在本文中，S-Sb 系统和 Cu-S-Sb 系统是利用所谓的 CALPHAD（PHAse 图计算）技术计算的。使用 TEM-EDS 和 XRD，在 Cu 1 Sb 1 S 2和 Sb 2 S 3处实验证实了Cu 0.9 Sb 1 S 2Cu-S-Sb 三元系统的 673 K 等温截面中的两相区域。鉴于 S-Sb 相图中液相线的不对称形状和混溶间隙，采用液相的关联溶液模型。溶液相（液体、bcc、fcc）用 Redlich-Kister 方程处理。化合物S 3 Sb 2、Cu 3 SbS 3、Cu 12 Sb 4 S 13、CuSbS 2和Cu 3 SbS 4被描述为化学计量化合物。获得了一组 S-Sb 二元系统和 Cu-S-Sb 三元系统的自洽热力学参数。计算结果与实验数据吻合良好。该研究为 Cu-Sb-S 热力学数据库提供了一组可靠的热力学参数，并为设计材料合成实验和制造工艺提供了一种经济高效的工具。

单源前驱体，用于真空蒸发MoBi 2 Se 5光敏薄膜

该方法采用真空蒸发法沉积纳米晶MoBi 2 Se 5薄膜，该真空蒸发法是采用捕集沉淀技术合成的单源前体。对沉积和真空退火的MoBi 2 Se 5薄膜进行了光学结构，形态，组成和电化学分析。观察到，通过真空退火，光学带隙从2.07eV减小到1.87eV。

热蒸发γ-CsPbI3薄膜的生长机理

本研究中，γ-CsPbI 3薄膜是在50下直接共蒸镀而成，不添加任何添加剂，也不进行高温后退火。通过分子热力学计算，提出蒸发分子独特的动能和原位基底热能协同为γ-CsPbI 3的形成提供能量前提。此外，γ相的稳定性通过与γ相和δ相之间的吉布斯自由能差相关的晶粒尺寸效应来阐明，该差通过基板温度和蒸发速率进行调节。所得pin器件的效率达到12.75%，这是热蒸发γ-CsPbI 3的最高值

卤化物钙钛矿的单源热消融，局限性和机遇：MAPbBr 3的教训

单源热消融（SSTA）是一种基于真空的蒸发方法，尽管在早期取得了一些有希望的成就，但仅在制备用于太阳能电池的钙钛矿杂化材料中很少使用。我们研究了MAPbBr 3薄膜的制备，结果表明，由于MABr对基材的低粘附性以及分解和接近的存在，该材料无法重现适合于在多结器件中集成的薄膜的制备。另一方面，MAPbBr 3的熔化温度与MABr的高蒸气压相结合。基于对MAPbBr 3处理的见解，我们证明了相反，均质的全无机CsPbI 2可以通过SSTA制备Br薄膜，其稳定性与通过旋涂获得的薄膜相当。这项工作为SSTA可以成功制备用于薄膜应用的卤化钙钛矿的选择提供了指导。

使用 GaN 粉末源的 GaN 气相生长和源材料蒸发行为的热重研究

从气相生长 GaN 是一种很有前景的技术，可用于生产块状 GaN 晶体和 GaN 层。为了从气相建立生长方法，源材料和反应器设置非常重要。选择高纯度和自合成的 GaN 粉末作为源材料。通过热重法 (TG) 研究了 GaN 粉末的蒸发行为。根据温度分布和流动模式的数值模拟结果建立立式生长反应器。生长了几毫米长的自由成核的 GaN 薄片。此外，薄 GaN 层直接沉积在蓝宝石衬底上。该成核层通过低压溶液生长成功地过度生长。

硫脲单源前驱体对ZnS的气溶胶辅助化学气相沉积  AACVD 气溶胶前驱体选择很重要

用于 Si1–xGex 薄膜沉积的混合替代单源前体

通过两步合成方案合成了一系列具有预先形成的 Si-Ge 键的新型混合取代异核前体。分子源结合了方便的处理和足够的热不稳定性，以提供低碳含量的 IV 族合金。描述了化学气相沉积 (CVD) 技术在分子-材料转换方面的差异，并追溯到分子设计。本研究说明了调整单源前驱体的物理和化学性质以将其应用于 Si 1 - x Ge x涂层的 CVD 的可能性。此外，Si 1- x Ge x的部分结晶已经通过 Ga 金属支持的 CVD 生长实现了，这证明了所提出的前体类在合成晶体 IV 族合金方面的潜力。

Achieving 256 × 256-Pixel Color Images by PerovskiteBased Photodetectors Coupled with Algorithms

CsBi3I10 precursor solutions were synthesized from CsI (0.25 M) and BiI3 (0.75 M) by using a mixture solution (N, N-dimethylformamide (DMF)/dimethyl sulfoxide (DMSO) is 13/1 by volume).