加载中…ZT反溶剂法
(2023-08-16 16:13:39)| 分类： 薄膜材料 |
通过滴加反溶剂和抽真空加速溶剂蒸发操作之后，得到的薄膜平整度大幅提高，晶粒间隙明显减小，显示薄膜的结晶性得到了较大的提升。这主要是由于两种操作都能有效地增加溶剂的挥发速度，使得钙钛矿材料在溶剂中迅速析出，形成的纳米晶有效地钉扎在原位，避免了慢速挥发中间形成的凝胶态过程，这样的亚稳态过程容易使得形成的薄膜不均匀。二氯甲烷作为反溶剂，挥发速率适中，对薄膜的成膜性的提高具有很大的贡献。
由于反溶剂引起的高过饱和度，晶体生长也比传统蒸发方法快得多。过饱和晶体沉积方法的生长指数接近2，这意味着理想的大晶体生长，几乎没有缺陷。
反溶剂法是将钙钛矿前驱体溶液放置在小烧杯中，再将小烧杯放入含有反溶剂的外部容器内，通过反溶剂缓慢扩散至小烧杯的前驱体溶液中，晶体开始生长。反溶剂法的原理是钙钛矿材料在不同溶剂中溶解度不同，利用反溶剂扩散至良溶剂的过程实现溶液体系过饱和结晶。反溶剂法的优点是适合高效生长晶体材料，其缺点是生长的晶体尺寸较小、形貌较差、生长速度较慢。层溶液生长法适合在两种不同的溶剂中有不同溶解度的晶体材料。其适合钙钛矿单晶材料生长，缺点是生长周期过长、难获得大尺寸的钙钛矿单晶。
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