硒化锑（Sb2Se3）是一种新型无机薄膜光伏材料，具有禁带宽度合（~1.1eV），吸光系数大（~105 cm-1），材料物相简单，低毒，稳定，价格低廉，可较低温度制备等优点，发展潜力巨大。短短几年内，硒化锑薄膜太阳能电池的光电转化效率实现了从<3%到9.2%的快速发展，但与其理论转化效率（>30%）相比，其光电转化效率还有极大的提升空间。
效率提升是一个系统工程，深入理解硒化锑的基本物理性质是基础和前提，但硒化锑基本物理性质的研究受限于以下三点：
1.
硒化锑的间接带隙特性使得其缺陷深度、缺陷浓度、载流子寿命等基本物理参数不能简单地由荧光光谱测试获得；
2.
硒化锑的高阻特性使得其载流子浓度、载流子迁移率、载流子扩散长度等不能由常用的霍尔效应测试获得；
3. 硒化锑的各向异性晶体结构加大了研究难度。
本课题组从材料和器件表征两方面入手，深入研究了硒化锑的基本光学和电学物理性质，包括缺陷种类与深度、迁移率、介电常数、少子寿命、载流子扩散长度等。基于以上物理性质，全面分析和理解了硒化锑太阳能电池的效率限制瓶颈，为进一步提高硒化锑太阳能电池效率奠定基础。
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