http://wenku.baidu.com/view/bcefccd950e2524de5187ef1.html

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n-p型高效异质结太阳能电池的模拟

http://www.doc88.com/p-294365828027.html

cias薄膜太阳电池的模拟与优化

http://www.doc88.com/p-5405997015628.html

微晶硅晶体硅异质结太阳电池的模拟与优化  硕士论文

AFORS-HET  软件是否好使？？目前好像主要模拟HIT电池

AFORS-HET能设置的地方太少，只能把TCO作为光学层来设置吧？（手上没有AFORS_HET，仅凭记忆）当时用Silvaco Atlas模拟过，设置TCO为电学层，发现如果TCO与N型半导体材料搭配，问题不大；如果TCO与P型半导体材料搭配，收敛性有很大问题。从文献看，TCO可以作为透明金属层处理，不过最好在界面物理上加上载流子隧穿特性。

非常感谢哈，现在碰到的一个非常困惑的问题就是各层的缺陷态密度的设置，还有界面的缺陷态密度，发现有时候设置一些层的高斯缺陷或者界面的带间缺陷，运行后产生的能带图是急剧弯曲的，有些峰值在10^5eV,导致计算I-V曲线时数据严重失真，电流密度也大了好几个数量级，这是软件本身的问题吗，还是不同层或界面的缺陷密度没有匹配？

缺陷态密度本来是材料和异质材料界面的重要性质，对电池性能影响很大，不能随意设置的。简单的做法是参考文献来设置，但是模拟自己的电池一定要想法去测试的。

HIT不想正常的PN结一样，HIT在PN接触界面存在多的缺陷，在模拟中是不能忽略的，而且单晶硅是存在中间态的，而不是带尾态和间隙态，而且PN结需要重掺杂使得在PN界面通过缺陷来模拟在界面载流子的隧穿，平带模式就是在电极与半导体的界面能带不弯曲，也就是所谓的理想欧姆接触。