二极管：

由于二极管主要由PN结构成，而半导体GRM155R71H472KA01D具有热敏性，所以二极管的特性对温度很敏感。如果外加的是正向电压，温度升高时，扩散运动加强，多数载流子运动加剧，正向电流增大，二极管正向特性曲线向左移动，导通压降减小；如果外加的是反向电压，温度升高时，本征激发的少子数目增多，运动加剧，则反向漂移电流增大，反向特性曲线向下移动。

三极管：

温度升高，三极管的导通电压下降、β值增大、I_CBO增大、温度每升高1℃，导通电压约减小2～2.5mV，β值约增大0.5%～1%，温度每升高10℃，I_CBO约增大一倍。

温度对三极管参数的影响
几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.
（1）对β的影响：
三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％,其结果是在相同的IB情况下,集电极电流IC随温度上升而增大.
（2）对反向饱和电流ICEO的影响：
ICEO是由少数载流子漂移运动形成的,它与环境温度关系很大,ICEO随温度上升会急剧增加.温度上升10℃,ICEO将增加一倍.由于硅管的ICEO很小,所以,温度对硅管ICEO的影响不大.
（3）对发射结电压ube的影响：
和二极管的正向特性一样,温度上升1℃,ube将下降2～2.5mV.
综上所述,随着温度的上升,β值将增大,iC也将增大,uCE将下降,这对三极管放大作用不利,使用中应采取相应的措施(如加装散热片等）克服温度的影响.