温度对三极管参数的影响

几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。

（1）对β的影响：
三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。

（2）对反向饱和电流ICEO的影响：
ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。

（3）对发射结电压ube的影响：
和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。

综上所述，随着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施(如加装散热片等）克服温度的影响。

特性参数：（二极管） 

If正向直流电流：他定义为二极管低阻方向流过的电流，对整流管定义为，规定使用条件下载阻性负载的正旋半波整流电路中允许连续通过的最大工作电流平均值，对硅开关管，则规定为额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。 

Ifm正向峰值电流:定义为额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。 

Vf正向电压降：他定义为二极管通过额定电流时的电压降平均值。 

最高反向工作电压：对硅整流管，为击穿电压的2/3 ，对硅堆，规定为正旋半波阻性负载电路中正常工作时所加的最大反向峰值电压值。对锗检波管， 硅开关管规定为反向电流在极间产生的电压值。
　 
击穿电压：对于发生软击穿的如,锗检波，开关管，是指在给给定的反向电流的极间电压值，对于硬击穿的整流开关管，则指反向特性曲线急剧转弯电的电压峰值。
  
特性参数：（三极管） 
HFE共发射极直流放大系数：当集电极电压与电流为规定值时，Ic与Ib之比。 
Fhfe共发射极截止频率：定义为当 hfe下降至1khz时的0.707（即3db）的频率。 
F0特征频率：当频率足够高时，hfe将以每被频程下降6db的速度下降，ft定义为hfe=1的频率。 
Icbo发射极开路，集电极与基极电压为规定值时的集电极电流。 
Iceo基极开路，集电极与发射极电压为规定值时的集电极电流。
ICM集电极的最大允许电流。
PCM集电极最大允许耗散功率。
VCBO发射极开路， 集电极,基极的击穿电压。
VCEO基极开路，集电极,发射极的击穿电压。
VEBO集电极开路， 发射机,基极的击穿电压。
  
晶体管的温度特性：
对二极管而言，正向电流一定时，正向压降随温度的升高而降低，室温时，温度升高1C,正向压降降低2-2.5mv 反向漏电流则随温度按指数规律变化，温度升高1C,锗管增加10%，硅管增加为7%。
对三极管而言，受温度影响最大的参数包括：VBE,ICBO,HFE.
其中，VBE以-(2-2.5)mv/C的速率线性变化，Iceo在温度不很高时，按指数规律变化，每升高9-10C ,增加一倍。HEF随温度增加1C增加2%左右，总之， 当温度升高时，都将使集电极电流增大。