Qualcomm®RF360™再次登上新闻版面。之前最先推出的是三星GALAXY Note 3上的包络追踪器，然后是诺基亚Lumia 1520上的天线匹配调谐器，现在是 QFE23xx，一款集成多模多频的功率放大器（MMMB PA）和天线开关，已在中兴Grand S II LTE智能手机上发布！这是Qualcomm RF360系列中最新的芯片，但却是一个关键的产品。它简化了射频前端、也使支持全球漫游的单一LTE设计成为可能。

QFE23xx是什么? 它实际上是两个芯片：QFE2320，带集成式天线开关的CMOS多模多频功率放大器（MMMB PA）；和QFE2340，带集成式发射/接收模式开关的高频段CMOS功率放大器（PA）。高频段QFE2340是移动行业首个晶圆纳米级封装的商用MMMB PA，它通过集成发送/接收模式切换功能，引入了一种新的LTE TDD射频架构。

少即是多

这句话的意思是，QFE23xx在较少的射频（RF）组件中，装入比以前更多的RF前端功能。这有助于在不牺牲性能的前提下节省大量面积。方法是在QFE23xx功率放大器中集成更多的蜂窝模式和RF频段，从而空出印刷电路板（PCB）的空间，让电路板容纳更多的频段。在这次具体实施中，中兴Grand S2共支持17个频段，涵盖4G LTE（TDD和FDD）、3G（WCDMA和TD-SCDMA）和2G GSM，让人不明觉厉。

我喜欢把QFE23xx芯片看成一个终级空间节省者，就像我办公室里的咖啡机，可以用一个小小的机器供应30多杯饮品。它有三种模式：咖啡饮品，美食选择和热饮，加上一个漂亮的触摸界面，允许用户进入各个模式选择中意的饮品。

现在，你如果把这三种模式看作2G、3G和4G蜂窝技术，把每个模式所提供的饮品看作每种技术兼容的不同频率，把触摸界面看成在不同模式和频段中进行选择的开关，你可以看到，QFE23xx芯片就相当于一个咖啡机的多模多频射频前端。

更小而灵活的全球射频平台

所有这些功能一起，带来简化的路由、轻松的射频设计，最终成为小巧的终端外形，造福终端用户。通过最大限度地再利用射频电路，QFE23xx最小化物料清单（BOM）和工程量，成为一款灵活的射频平台。通过它，OEM厂商只需使用单一电路板设计，就可以推出满足全球不同频段需求的配置。

QFE23xx还与QFE11xx（包络追踪芯片）和QFE15xx（天线匹配调谐器）联手，实现RF360更大的优势：更高的吞吐量，更低的功耗和热量，扩展的天线工作范围和更轻薄的外形。

QFE2320和QFE2340芯片成功商业化是移动射频的重大突破，代表Qualcomm RF360向前迈出的又一大步。当我开始回想Qualcomm RF360前端解决方案在短时间内走了多远时，也许正是我回到咖啡机旁的好时候……

Kanu Chadha

技术市场高级经理