HBM模式下静电放电试验介绍

    人体放电模式（Human-Body Model, HBM）产生的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其他因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会导入到所接触的设备中。HBM的ESD模型是建立最早和最主要的模拟静电测试模型，其模拟了当带电的人体接触或靠近静电敏感器件（ESDS）时，该元器件有可能被直接的静电放电或静电场损坏。

    根据工业标准 (MIL-STD-883G method 3015.7)要求，其中人体的等效电容定为100pF，人体的等效放电电阻定为1.5KΩ。

    人体模型（HBM）遵循的标准

    MIL-STD-833G Method 3015.7； EIA/JESD22-A114-C.01 (JEDEC, 1997)。

    HBM静电敏感度分级：

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    HBM放电的原理框图如下图：

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    HBM放电电流波形参数：

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    Tri：脉冲上升时间小于10ns；Tdi：脉冲延迟时间150±20ns；IP：峰值电流

    HBM试验步骤：

    （1）准备好被测样品的规格书，内容要包括其PIN脚的定义图。一般分类有四种：电源，地，输入和输出四大类；

    （2）我们需要准备一个连接器，此连接器焊在PCB上，并从PCB上引出PIN用于插在测试仪器的PIN槽；

    （3）准备好需要的样品数；

    （4）准备好需要测试模块参数性能的仪器；

    HBM静电放电故障判断：

    静电敏感器件（ESDS）经ESD测试后，要判断是否已被破坏，以便决定是否要再经一部测试下去，但是如何判定该静电敏感器件（ESDS）已被ESD所损坏了呢？常见的有下述三种方法：

    （1）绝对漏电流：当静电敏感器件（ESDS）被ESD测试后，其I/O脚的漏电电流超过1uA(或10uA)。漏电电流会随所加的偏压大小增加而增加，在测漏电电流时所加的偏压有人用5.5V（VDD×1.1），也有人用7V（VDD×1.4）。

    （2）相对I-V漂移：当静电敏感器件（ESDS）被ESD测试后，自I/O脚看进入静电敏感器件（ESDS）内部的I-V特性曲线漂移量在30%（20%或40%）。

    （3）功能观测法：先把正常且符合规格值静电敏感器件（ESDS）的每一只脚依测试组合打上某一电压准位的ESD测试电压，再拿去测试是否符合原来的规格。

    摩尔实验室（MORLAB）在深圳，上海，成都等地均开展了此项测试业务，如有需要可联系就近的摩尔实验室相关人员。