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热电冷却器在电子散热中的应用

(2011-07-17 14:26:21)
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杂谈

一、前言

  为了缩短产品上市时间并在竞争中领先对手,电子产品设计师需要应对电子行业中瞬息万变的需求。电子工业制程技术和半导体技术不断发展,导致设计零组件系统的工具快速变化,为了保持产品的竞争优势必须让产品具有更多功能,但产品尺寸不能大于以往产品和竞争对手的产品,甚至需要更小。这就要求电子产品设计工具能够更经济地利用物理空间。更多的功能通常意味着更高的电子产品复杂性,更小的尺寸意味着电子组件发热密度逐渐增加,因此对于散热或温度控制的热管理技术需求越来越高,甚至成为电子组件技术发展的瓶颈,若不能解决温度问题,就无法将高功率的组件商品化。如何避免电子组件与设备的过热或有效率地把温度降下来,一直是科学家或工程师努力想达到的目标。

顺应这种电子产品设计的趋势,衍生出各种温度管理技术,包括被动式的散热鳍片、热管,主动式的散热鳍片加风扇、水冷系统和热电冷却器(ThermoelectricCooler,或称之为热电致冷器,本文简称TEC)。而TEC是较新的应用技术,不仅不需要动态零件或冷媒驱动,减少了噪音及环保问题,而且应用到半导体材料制程。其体积小,只要加电压即可驱动此散热组件。目前TEC已逐渐应用在手机、家电、光感测或放大器等小型组件方面,所以产品研发工程师接触到此项散热组件的机会大增。在产品设计过程之中,透过分析验证可以缩短研发时程,并可在研发阶段就可预知产品可能发生的问题。本文主要介绍如何在设计验证热流分析软件SolidWorksFlowSimulation中完成TEC(1)的仿真,以及介绍其相关理论背景技术。

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  图1单层热电冷却器(1616mm)

  二、热电效应

  热电效应是一个由温差产生电压的直接转换,是指当受热物体中的电子,随着温度梯度由高温区往低温区移动时,产生电流现象,且反之亦然,当通过直流电时,具有热电能量转换特性的材料可产生致冷功能,称之为热电致冷。这种效应可以用来产生电能,用于测量温度、冷却或加热物体。所以只要控制施加的电压,就可以决定加热或制冷的方向。由于半导体材料具有较佳的热电能量转化特性,因此实用的热电致冷装置是由致冷效率较高的半导体材料所构成的。

  热电现象是1823年由德国物理学家Seebeck发现。当时他将指南针放置在由两种不同金属相接合成的线路上,同时在其中的一端接点处以烤炉加热,而见到指针出现偏转的现象。此处磁针的偏转是由温差产生电位差造成的,称为Seebeck效应,这也是热电偶(ThermalCouples)的工作原理。而直流电通过两种不同导电材料所构成的回路时,接点上将产生吸热或放热的现象,是后来由法国人Peltier1834年发现,这个现象称Peltier效应,也是TEC的工作原理。

  三、FlowSimulationTEC的运算方式

  热电冷却器(TEC)是由两个平板中间覆盖P-N半导体结电路组合成的电子组件。当直流电流(DC)i流经此电路,由于Peltier效应,a×i×Tc的热量会由TEC的冷面带至热面,其中aSeebeck系数,TcTEC的冷面温度(冷面与热面是由直流电流方向决定)。这种热带动方式自然会伴随着焦耳热于TEC两侧表面释放,而且热会由较热面传导至较冷面(Peltier效应反向)。释放的焦耳热为R×i2/2,其中RTEC的电阻抗值,热传导量为k×ΔT,其中kTEC的热传导系数,ΔT=Th-TcThTEC的热面温度。所以,净热传量由TEC的冷面传到热面为QcQc=a×i×T-R×i2/2-k×ΔT。相同地,于TEC热面的净热释放量为QhQh=a×i×T+R×i2/2-k×ΔT

  在FlowSimulation中,TEC是指定于一个平板(方块)的实体模型,需要指定其热面,并且要由工程数据库中选择一笔已建立的TEC数据。

  在工程数据库中TEC必须定义的参数如下(2)

  (1)最大DC直流电流为imax

  (2)imaxΔT=0时,最大热传量为Qcmax(3)

  (3)Qc=0时,最大温度差为ΔTmax

(4)对应于imax时的电压为Vmax

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2FlowSimulationTEC的定义画面,必须定义4项参数

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  图3TEC的每项参数都必须定义在两个Th温度时的数值,此为Qcmax

  以上这些参数要对应于两个Th值作用时,而这些信息通常会由TEC的供货商所提供。由这些输入的参数,a(T)R(T)k(T)的线性函数就会决定了。由函数相关计算出来的边界条件就会自动指定在TEC的冷面及热面,这两侧面不能被指定其他的边界条件。

  被指定为TEC的实体模型,其内部及表面的温度计算方式会与FlowSimulation的一般实体热传导不同,会用其独特的方式计算。TEC的热面必须是接触于其他实体,也就是说不能曝露于流体中。而且TEC求解出来的结果,如ThΔT必须在供货商指定的操作范围之内。如果在同一个项目中有使用接触阻抗(ContactResistance)设定,接触阻抗只能设定在TEC实体以外的其他实体上,而且不能直接与TEC实体接触。

  四、TEC应用实例

  本文使用装置是使用在红外线焦点平面数组检探测器(Infraredfocalplanearraydetector)的主动式冷却装置,应用于火星太空任务中。

由于硬件的需求,此冷却器(4和图5)的尺寸为:厚度4.8mm,冷面8mmx8mm,热面12mmx12mm。由三层半导体材料颗粒堆栈而成,其主要成份为(Bi,Sb)2(Se,Te)3。此冷却器设计的工作温度为热面120180K,而且在其表面可提供超过30K的温降。

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4热电冷却器的结构,此为三层式TEC

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  图5TEC测试架设图

要使用FlowSimulation求解此工程问题,冷却器必须以一个梯型角锥实体取代,在热面设定固定温度(温度边界条件),在冷面给定热流动(热流边界条件),如图6和图7所示。

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6FlowSimulation用来分析TEC的模型示意图

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  图7FlowSimulation中设定画面,热面接触的零件设定固定温度Th,冷面接触的零件设定热流动状况Qc

要在FlowSimulation中设定TEC,必须在工程数据库中事先定义好各项TEC参数,必要的有4项参数。本文提供的参数如图8所示。

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  图8本文中TEC各项参数

指定TEC时,选择整个简化的梯型角锥实体,再选择热面像素。在参数中,只需要输入电流量I,并指定已储存于工程数据库中的TEC型号(9)。本文要仿真两种情形,第一种情形是固定Qc值,变动电流I,需要知道ΔTI的结果关系。第二种情形是固定电流I=imax,变动Qc值,需要知道ΔTQc的结果关系。

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  图9FlowSimulationTEC指令的定义画面,选择TEC实体、热面、输入电流值及选择TEC型号

模拟完成之后,第一种情形结果与实测的比较,如图10所示。热面与冷面温度降与电流I的关系,通过使用Flow Simulation模拟的结果与实测值相当符合。

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  图10ΔT与电流I的结果汇整,对应两个不同的Th

第二种情形分析结果与实测的比较也相当接近。如图11所示,在两个不同的Th时,ΔTQc的关系。

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  图11ΔTQc的结果汇整,对应两个不同的Th

  TEC组件经常用一个无因次的效能系数COP(coefficientofperformance),其定义为:。

其中Pin为冷却器的功率损耗,QcQh分别为冷面及热面的热流量。COPΔT的结果汇整如图12所示。

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  图12COPΔT的结果汇整,对应两个不同的Th

  最后,我们由这些模拟结果得知:FlowSimulation对于热电冷却器在不同的电流及温度下,可以精确计算出热现象。

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