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单片机控制大功率LED灯(解读)

(2013-04-19 20:04:33)
标签:

电子技术

分类: 模拟电子技术

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http://s12/mw690/5fb533dfgdab5a7c7465b&690

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http://s5/mw690/5fb533dfgdadcae723ac4&690

LM117 217 317(军 工 民),VREF = 1.2  1.25  1.3V;  输入输出电压最小差为3V
   1W LED

    功率:1W/PCS 电压:3-3.6V 光通量100 LM

 2N7000

    N沟道增强型MOSFET,在电路中像NPN三极管工作在饱和状态一样充当开关,单片机端口输出高电平时,G S间加正向电压大于开启电压,沟道导通,D S 间电压很小(0.45v),3个串联LED上的压降不足,灯灭. 反之,端口为低电平时,LED灯亮.

    场效应管有二大类, JFETMOSFET( 增强型和耗尽型),都有N 沟道 P沟道, 但在工程实践中, 后者主要用增强型MOSFET, 且广泛用于数字电路中充当开关.

    

一般用单片机端口输出PWM控制灯的变化.

若增加灯的数量,需提高外电源(15v) 电压  

             输入电压 = 输入输出最小压差3V +1.25V + 3.6V(发光二极管压降)*n(个)

 1.25/4=310mA , 三端电压调整片最好加散热片.

参考:[30.Arduino.Projects.for.the.Evil.Genius].Simon.Monk]

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