（一）            半导体存储器原理实验

一、    实验目的与要求

目的：1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。

      2、掌握半导体随机存储器怎样存储和读出数据。

要求：实验前，要求做好实验预习，掌握616型RAM存储器的功能特性和使用方法。

      实验过程中，要认真进行实验操作和思考实验有关的内容，把自己不太明白的问题通过实验去理解清楚，争取得到最好的实验结果，达到预期的实验教学目的。

二、    实验方案

1．  使用了一片6116静态RAM（2048×8位），但地址端A8~A10脚接地，因此实际上存储容量为256字节。存储器的数据线D7~D0接至数据总线。

2．  使用一片8位的74LS273作为地址寄存器（AR），地址寄存器的输出端接存储器6116的地址线A7~A0,所以存储单元的地址由地址存储器AR提供。

3．  数据开关（INPUT DEVICE）用来设置地址和数据，它经过一个三态门74LS245与数据总线相连，分别给出地址和数据。

4．  地址显示灯A D7~AD0与6116地址线相连，用来显示存储单元的地址，数据总线上的显示灯B7~B0用来显示写入存储单元的数据或从存储单元读出的数据。

5．  存储器有三个控制信号：CE片选信号、OE读命令信号、WE写信号。当片选信号CE＝0时，RAM被选中，可以进行读/写操作;当CE＝1时，RAM未被选中，不能进行读/写操作。读命令信号OE在本实验中已固定接地，在此情况下，当CE＝0，WE=1时，存储器进行写操作，当CE=0,WE=0时，存储器进行读操作。

6．  LDAR是地址存储器AR存数控制信号。

7．  按图连接好实验电路，检查无误后通电。

8．  将表2。2的地址和内容转化为二进制

9．  参考例1的操作，向存储器单元里先写第一个单元的地址、然后向第一个地址，再写第二个地址，然后向第二个地址单元写内容，就这样不断循环操作，直到做完。

10．          参考例2依次读出表2。2各地址的内容

                   表2.2

三、    实验结果和数据处理

1.       根据存储器的读写原理，按照表2.1的要求，将各控制端的状态填入相应栏中。

表2.1：

2．注意先写第一个地址，然后读出第一个地址单元的内容。再写第二个地址，然后读出第二个地址单元的内容，就这样不断循环操作即可读出各地址单元的内容。

（1）     向存储器的00H，01H，02H，03H，04H，05H，06H地址单元分别写入数据AAH，55H，33H，44H，66H，08H，F0H（十六进制），如表所示：

      （2）依次读出表中各地址单元的内容，观察各单元中的内容与写入的内容是否一致。

四.试验结果分析

结果一致，成功完成相应的练习操作

五.结论

通过本实验我掌握了存储器的工作特性及使用方法，先做写地址操作，将数据写入地址寄存器AR里，再对存储器的地址单元进行写内容操作写入相关数据，最后再读出地址单元的内容，本次的实验比较容易完成，我做得很顺利，掌握了半导体存储器怎样存储和读出数据。

六.实验总结

     这个实验在我所做的实验中给我的感觉是比较容易的。它没有很多的数据，也没有很多的步骤要你做。但这是以前做的实验再加深一些，我们要好好的把握这些实验的过程和结果。

1、存储器在写操作和读操作的过程中为什么都要先完成写地址操作。

答：在写操作中先完成写地址操作是为了能把数据写到指定的存储单元，从而能使数据不会杂乱。而读操作中写入地址是为了根据地址找内容并读出所要的内容。

2、写地址的操作完成后，在做写内容操作时，为什么要关闭LDAR?

答：因为LDAR是地址寄存器AR存数控制信号。

3、存储器读操作需要T3脉冲吗？

答：不需要。

4、在完成上面练习题操作中，能否先连续输入所有的地址，再连续的输入所有的内容或连续读出所有的内容，为什么？

答：不行。如果先连续输入所有地址再连续输入所有内容，那么会在输入内容的时候出现数据不知道储存在哪个单元。从而使数据杂乱无章。连续读内容也一样，系统不知道该在哪个时候读出哪个数据。

七.思考题

答题框：