菊池正士(1902年8月25日~1974年11月12日,日本核物理学家,他最早(1928年,早于TEM的发明)发现了电子显微学中出现的菊池花样(Kikuchi
patterns),并给出了正确的理论解释。
kikuchi line是个体效应,一般要看到它,要求晶体完整并足够厚。它的出现是基于严格的布拉格反射,所以当转动晶体时,kikuchi line会一起转动。菊池线对带轴的敏感程度远远高于衍射斑点,所以需要带轴严格对正(比如照高分辨)时,必须使用菊池线。
拍摄菊池线太简单了:把光聚一聚,找一块儿别太薄的单晶,切换衍射。齐活!
来自Web Electron Microscopy Applications
Software 的菊池线:

来自同一网站的另一幅模拟菊池花样,alpha-ti 0001
http://emaps.mrl.uiuc.edu

菊池线特征:
(1)、线对方向平行于产生改线对的晶面。
(2)、线对间距R和该晶面的衍射斑点R值(衍射斑和透射斑距离)相等。
(1) hkl菊池线对与中心斑点到hkl衍射斑点的连线正交,而且菊池线对的间距与上述两个斑点的距离相等。Rd=Ll
(2)
一般情况下,菊池线对的增强线在衍射斑点附近,减弱线在透射斑点附近。
(3) hkl菊池线对的中线对应于(hkl)面与荧光屏的截线。两条中线的交点称为菊池极,为两晶面所属晶带轴与荧光屏的交点。如菊池极在荧光屏中央,则该极对于的晶带轴与入射电子束严格平行。
(4)
倾动晶体时,菊池线好象与晶体固定在一起一样发生明显的移动。精度达0.1°
和高分辨像:

实例:
出现菊池线的条件
a)
样品晶体比较完整
b)
样品内部缺陷密度较低。
c)
在入射束方向上的厚度比较合适:1/2tc<t<tc
花样随样品厚度增加的变化如下:
斑点 → 斑点 + 菊池线 → 菊池线

菊池线对的几何特征:
菊池线对间距等于相应衍射斑点到中心斑点的距离;
菊池线对的中线可视为是(hkl)晶面与底片的交线;
线对公垂线与相应的斑点坐标矢量平行;
菊池线对在衍射图中的位置对样品晶体的取向非常敏感,详见下图
对称入射,即B//[uvw]时,线对对称分布于中心斑点两侧;
双光束条件,即s=0,亮线通过(hkl)斑点,暗线通过中心斑点;
S+g>0时,菊池线对分布于中心斑点的同一侧;
S+g<0时,菊池线对分布于中心斑点的两侧。

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在旋转带轴的时候,沿着一个密排方向转动,总可以达到一个低指数带轴。

这是一个大致的转动过程,通过样品台的倾转,可以让晶轴和透射束方向平行,最后达到电子衍射的效果是各向均一,亮度四周一致。这样才算转正。这种是通过倾转晶体样品使衍射点到位,也就是我说的倒易球。
许多菊池极按照晶体学关系构成菊池图,不同晶体晶系有不同菊池图。



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