据国外媒体7月2日报道，近日台湾联华电子 (United Microelectronics)宣布已与IBM公司签署了一项许可协议，将加速旗下20nm CMOS工艺和FinFet三维晶体管的发展。

根据协议，IBM将向联华电子授权20nm制程设计套件和FinFET技术，这样该代工厂将可利用这些技术加快向客户提供这些制造流程。

这项协议仅涵盖IBM 20nm CMOS流程和FinFET技术。联华电子内部开发的20nm平面工艺(planar process)将被整合以符合IBM的设计规格和工艺/设备目标，而联华电子的FinFET将成为移动计算与通信产品的低功耗技术增强选择技术。

联华电子的先进技术开发部副总裁陈文洋表示，公司乐于与IBM公司这样公认的技术领导者合作。凭借IBM公司的技术专长可缩短本公司20nm FinFET芯片研发周期，将为公司及客户创造双赢的局面。

（转载于财经网，2012-07-03）