硅同位素丰度的启示 

       硅元素有32中同位素，其中28Si这个同位素相对丰度为0.92223，相对丰度变化量0.92205-0.92241，硅原子核有14根太极体，每个硅原子核有正太极体相对数为12.9087-12.91347根。这表明每个硅原子都有一个负太极体，这是每个硅原子具有导电性的主要因素；由于硅原子负太极体很少，只有一个，硅原子的导电性很差，这是 硅晶体是半导体的主要原因。

        晶体的导电机制应该是这样的：外界电子到达原子表面，使得原子表面电子数增加，电子可以通过负太极体的中子管道。所以，对于束缚态原子来说，电子在负太极体上的自由通过，使得原子具有导电性。电子在束缚态原子中通过后，再通过化学键传到到另一个原子表面，这样，电子就实现了在晶体上的通过性，这就是晶体的导电性。我们知道，硅晶体由于由于硅原子核的极度对称性，束缚态硅原子的电子云已经不仅仅只对应于某个太极体，而是所有太极体共享，所以硅原子虽然只有一个负太极体，这并不影响晶体硅的方向导电性。

        非金属和金属的区别，就在于束缚态原子有无负太极体，有多少负太极体。非金属即使也有负太极体，然而由于晶体结构的不对称性，也使得非金属不具有导电性；金属虽然晶体结构不对称，因为金属每个原子负太极体数量较多，因而具有导电性。

        这种通过原子核负太极体的导电机制和超导材料的导电机制是不一样的，超导材料是通过原子核整体磁矩的调整实现原子核中间空隙导电，是不需要通过太极体就可以进行的。

        当然，导电性可以是核外电子的直接交换，可是通过原子的导电性对于束缚态原子来说就无比珍贵，这是超导材料选择的必由之路，也是导电化合物晶体设计的根本思路。毕竟核外电子运动虽然受限，基本上是无规则运动，耗散现象非常严重，发热现象非常严重。CPU硅晶体设计就是要杜绝原子核外电子传送；液晶中的络合金属原子必须遵循原子核负太极体电子传送原则进行布局。

        隐形材料的吸波原理和晶体的导电机制是一致的。能导电必然能够吸波，非晶体类吸波伴随着发热和波反射现象，只有晶体吸波才能避免这一现象。设计隐形材料就是设计吸波晶体或者说是设计导电晶体。可以制成纳米涂料，但必须在涂料干燥之前进行纳米晶体方向调整，确保吸波的彻底性。