美国专利6345437是德国电子陶瓷公司申请的，涉及陶瓷覆金属膜用于电子基片的制作过程，这里摘译部分内容，有兴趣的朋友请参阅原文。

本发明涉及制作金属陶瓷基片的工艺，这种金属陶瓷基片可以用于电子或电力线路。

在氧化铝陶瓷基片表面进行金属化，以形成电连接，通常采用DCB工艺（直接铜粘接技术），它是用铜箔，在表面形成一层共晶层，其化学成分要与某种气体能够发生反应，最好是氧气，且共晶层的熔点要低于导电金属的熔点。

这样的工艺早有描述，如，美国专利USP3744120，德国专利DE2319854，简单地说，DCB工艺主要包括如下步骤：

对铜箔进行氧化，生成均匀的氧化铜层。放置铜箔在陶瓷基片上，使氧化铜层接触陶瓷表面。在氮气中加热它们，温度为1065-1085之间，例如1071。冷却它们到室温。

相似工艺还可参见欧洲专利EP2079601，在已知的案例中，由于金属层具有较大的厚度，在冷却时，在金属层与陶瓷层之间，会产生较大的张力，导致粘接强度不能令人满意。

本发明的意图就是为了解决这个问题。

用本专利方法制作的金属陶瓷基片，适合用于电子或电力功率开关网络或模块，具有改良的散热特性。

依照本专利的工艺，将陶瓷基片，预先制成带有一定曲翘度的弧形基片，以此抵消金属箔带来的张力，以此改善附着强度和散热性能。

例1：先做弧形陶瓷基片：生瓷粉为碳化硅，冲压成型后，放置在弧形托盘中，一同置于烧结炉中，加热至1350，烧结在大气中，然后缓慢冷却到室温，冷却速度为3/分钟，降温至室温后，弧形陶瓷基片就获得了。进行金属化：在弧形陶瓷片一个表面上，需要金属化的表面，放置氧化铜箔，厚度0.3mm，精细地，进行氮气保护烧结，其氧气含量35ppm，加热到1072，保温大约6分钟，然后冷却到室温，这个位置的金属化就完成了。其他位置的金属化也用相同的方法。金属化之后，导电图形的成型用PCB板的掩膜及腐蚀的方法，腐蚀剂通常用三氯化铁溶液，腐蚀之后，除去掩膜材料，导电图形就完成了。

例2：弧形陶瓷基片的制作方法与例1基本相同，仅仅将生瓷粉改为氧化铝。空气烧结，加热至1200，保温5小时，缓慢冷却到室温，降温速率2/分钟。弧形基片制作完成。在弧形基片需要金属化的位置放置氧化铜箔，其厚度0.3mm，一起在氮气中烧结，加热至1072，保温6分钟，降至室温，金属化就完成了。后续的导电图形的腐蚀成型方法与例1相同。

例3：这里的陶瓷基片的金属化方法与前面举例有所不同。在弧形陶瓷基片需要金属化的位置涂覆焊接浆料，其成分为40%Ag-55%Cu-5%Ti，然后将铜箔放置到陶瓷片上，其厚度0.3mm，然后进行真空烧结，加热温度至850，保温8分钟，降至室温。后续的导电图形的腐蚀方法与例1相同。

例4：这里的陶瓷基片的金属化，使用了一种叫做“焊接箔”的材料，它描述在德国专利DE3930859中，它由共晶氧化物组成，使用时，放置在铜箔与陶瓷基片之间，氮气烧结，加热至1072，保温时间的选择应使特性令人满意，例如6分钟。焊接箔材料熔融，使铜箔与陶瓷粘接在一起。后续的导电图形的腐蚀方法与例1相同。