博世开启碳化硅芯片量产计划；上汽布局车规级芯片制造，参股积塔半导体；露笑科技豪赌Sic，谁持“核心专利”？

 1、博世开启碳化硅芯片量产计划 

12月3日消息，博世集团宣布于本月启动碳化硅芯片的量产。
博世集团董事会成员Harald Kroeger称：经过多年的研发，博世目前准备开始大规模量产由碳化硅这一创新材料制成的功率半导体，以提供给全球各大汽车生产商。未来，越来越多的量产车将搭载博世生产的碳化硅芯片。
Harald Kroeger表示：“碳化硅半导体拥有广阔的发展前景，博世希望成为全球领先的电动出行碳化硅芯片生产供应商。”作为全球领先的技术和服务供应商，博世于两年前宣布将继续推进碳化硅芯片研发并实现量产。为实现这一目标，博世自主开发了极为复杂的制造工艺流程，并于2021年初开始生产用于客户验证的样品

博世自己的碳化硅产品研发线，在沟渠技术方面已有20年的研发经验。博世的碳化硅产品采用了独特的双通道沟槽栅极技术。与平面型和单通道沟槽栅极技术相比，博世的双通道沟槽栅极技术在相同的芯片面积下具有更低的导通电阻，对于芯片产出与成本控制都有优势；另外提高了对于di/dt的耐受，结合较低的米勒系数，降低了弥勒误开通的风险，进一步降低了开关损耗。通过优化后的设计，可确保更加出色的栅极氧化层鲁棒性。

博世碳化硅产品不仅有用于模组封装的裸片，还包含了封装后的750V,1200V的MOSFET，能够满足客户不同的需求。

“得益于电动出行领域的蓬勃发展与独特技术，博世接到了相当多的碳化硅半导体订单。”Kroeger说到。
未来，博世还将继续扩大碳化硅功率半导体的产能，旨在将产出提高至上亿颗的水平。为此，博世已经开始扩建罗伊特林根工厂的无尘车间，同时着手研发功率密度更高的第二代碳化硅芯片，预计将于2022年投入大规模量产。

截止目前，博世已在罗伊特林根晶圆工厂增建1000平方米无尘车间，并预计在2023年底新建3000平方米无尘车间，用于碳化硅半导体生产。

2、上汽布局车规级芯片制造 斥资5亿参股积塔半导体

11月30日，上汽集团旗下尚颀资本完成了对上海积塔半导体有限公司（简称“积塔半导体”）的A轮投资5亿元，本轮投资尚颀资本引入上汽集团专项资金，以市场化基金方式出资，协助上汽集团战略性布局了国内领先的车规级芯片以及碳化硅功率器件生产企业。

积塔半导体本轮融资80亿元人民币，由原股东华大半导体有限公司领投，多家国家基金、产业投资人、地方基金、知名财务投资人参投。

积塔半导体是一家特色工艺集成电路芯片制造企业，专注模拟电路、功率器件所需的特色生产工艺研发与制造。公司所生产的BCD、IGBT/FRD、SGT/MOSFET、TVS、SiC 器件等芯片广泛服务于汽车电子、工业控制、电源管理、智能终端，乃至轨道交通、智能电网等高端应用市场。

积塔半导体是国内最早从事汽车电子芯片、IGBT芯片制造的企业，生产的车规级IGBT、碳化硅等功率器件产品主要性能指标达到国际先进水平，有力促进了汽车芯片的国产化进程。

尚颀资本认为，在当前电动化和智能网联化趋势下，汽车行业对芯片的应用需求呈现出爆发式增长，芯片短缺给汽车行业带来挑战的同时，也带来了新的机遇。因此，上汽集团及旗下尚颀资本通过战略投资、战略合作、自主研发等形式已在芯片领域展开多个链条的布局，加速汽车芯片战略落地。

尚颀资本非常看好积塔半导体在工业控制和汽车电子等高端应用的特色工艺生产线的前瞻性布局，并相信积塔半导体能显着提升国内功率器件（IGBT）、模拟电路、电源管理和传感器等芯片的核心竞争力以及规模化生产能力。

本次投资积塔半导体后，尚颀资本将致力于帮助积塔半导体发挥自身车规级芯片制造优势，加大车规级电源管理芯片、IGBT和碳化硅功率器件等产品研发力度，提升公司车规级产品与车企的融合速度，进一步巩固和发展积塔半导体在车规级模拟和功率器件领域的制造优势，推动汽车核心芯片自主可控战略，缓解汽车电子缺芯困局。

3、露笑科技跨界“豪赌”碳化硅，谁持“核心专利”依然成谜

2021年以前，半绝缘体型碳化硅衬底更为火热，而随着新能源汽车市场的爆发，导电型碳化硅衬底需求量激增。此前行业风口是半绝缘体型碳化硅，结果今年导电型碳化硅“异军突起”。由于此前国内诸多企业普遍“押注”半绝缘体型，国内几乎没有导电型的量产产品，因而导电型突然变得“一片难求”。

国内碳化硅衬底产能布局者非常多，目前国内龙头是北京天科合达半导体股份有限公司和山东天岳先进科技股份有限公司，一家主打导电型，一家主打半绝缘体型。二线厂商有中国电子科技集团公司第二研究所、河北同光晶体有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、三安光电。

据悉，目前国际市场6英寸导电片全球有效产量为40万片，以科锐为代表的几家头部企业占据95%以上的市场份额。国内方面，6英寸导电片量产化是0，没有一家企业能够每个月稳定出几千片。

国内企业多数是实验室阶段，设备采购也很多，从几十台到几百台不等。但真正产业化还是在起步阶段，都在拼速度。导电型衬底进展较快的是天科合达、河北同光、山西烁科。当然也有不少刚刚冒出来的，比如合肥露笑。头部这几家企业，产能都已经有100台到数百台炉子在场地上，但目前都处于向下游送货认证阶段，没有几千片的稳定出货。

制约国内企业量产的主要是技术。碳化硅衬底的长晶工艺非常难，对热场的控制需要非常精准，而且生长速度非常慢。由碳粉、硅粉合成碳化硅粉体，然后从碳化硅固态变成气态，在籽晶上生长碳化硅。

露笑科技披露的定增预案显示：“在技术积累方面，公司在布局蓝宝石业务期间积累了大量的生产蓝宝石长晶炉的经验，由于蓝宝石晶体和碳化硅晶体生长之间的相似性，公司在碳化硅晶体生长的长晶炉上同样具有较强的实力。”

对于在蓝宝石业务上的经验是否有助于生产碳化硅衬底，露笑科技自己提供的是长晶设备，目前科锐、天科合达、山东天岳都是自己制造设备，因为设备本身制造不难，难点在于工艺的掌握及设计。而露笑科技核心的研发设计来自于中科钢研的团队，露笑科技根据中科钢研的研发、设计进行生产。简而言之，工艺环节还是掌握在中科钢研那边。

具体技术专利方面，露笑科技表示，截至2021年9月末，公司参与制修订国家/行业标准48项，累计拥有国内领先的科技成果近20项，有深厚的技术积累和丰富的人才储备。

据智慧芽数据，露笑科技拥有专利申请32件，其中未发现与碳化硅相关技术专利。相比之下，全球碳化硅龙头科锐在全球拥有超过7400件专利申请，其中与碳化硅相关的近2800件。国内方面，碳化硅衬底龙头山东天岳拥有专利申请498件，其中与碳化硅相关技术专利312件。与碳化硅相关专利中近53%为发明专利，其余均为实用新型专利。

露笑科技储备的人才主要为陈之战团队，陈之战长期在中国科学院上海硅酸盐所工作，曾协助建设了国内第一条完整的碳化硅晶体生长和加工中试线，发表论文100余篇，授权专利50余项。陈之战现任上海师范大学研究员、教授以及露笑科技首席科学家。

但是，据记者调查，陈之战教授团队的50余项授权专利，所有权是属于其曾经所在的研究机构，还是属于其本人？露笑科技能否使用这些授权专利呢？

记者通过专利之星系统检索关键词陈之战，发现其参与的专利共有30项，其中13项有效，17项失效。13项有效专利中，4项专利当前权益人为上海师范大学；4项专利当前权益人为中国科学院上海硅酸盐研究所或其全资子公司；5项专利当前权益人为安徽微芯长江半导体材料有限公司（以下简称“安徽微芯”）。

值得一提的是，安徽微芯旗下专利多与碳化硅的生产息息相关。包括“双室结构碳化硅晶体生长装置”、“碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法”、“基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置”以及“高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶”等。

也就是说，陈之战参与研发的多项碳化硅晶体生长、抛光、单晶制备等专利目前属于安徽微芯所有，而不是露笑科技。那露笑科技相关碳化硅生长工艺是否会使用上述专利，或者公司是否已获得相关专利使用权？是否侵犯专利权益人权益？

就相关问题，《每日经济新闻》记者12月1日向露笑科技发送了采访函，但截至目前未收到回复。因此相关专利的具体权益依然成谜。

据启信宝信息，安徽微芯与露笑科技没有股权关联，而陈之战曾任职的中国科学院上海硅酸盐研究所参股了安徽微芯。据悉，安徽微芯年产15万片碳化硅晶圆片项目建设工程近期于安徽铜陵竣工。