Poly电阻是CMOS或者BICMOS中特有的电阻类型,轻搀杂Poly电阻方块电阻数在几百到几千之间,重搀杂电阻电阻数在25—50之间.一般是使用NSD或者PSD进行搀杂.而不用其他N或P型层次.Poly电阻的大小不仅仅和搀杂浓度有关,还和晶格方向有关.在晶体表面,晶格方向比较杂乱一点,所以电阻也比晶格比较整齐的内部要大,如果Poly电阻比较细的时候,单位电阻较大.尤其对于轻搀杂的Poly电阻.

 各种不同的Poly电阻温度系数不同,轻搀杂的poly电阻会出现负温度系数,而重搀杂的poly电阻则肯定为正温度系数.例如一些方块电阻数在2000左右的poly电阻,温度系数会为负.所以会出现一个温度系数几乎为零的搀杂浓度,但是这样的浓度很难控制.大概在方块电阻数为200左右的地方.一般工艺的偏差会导致难以控制.不过我们要尽量将温度系数控制在250ppm/摄氏度./ s0 R3 K! ], l, W2 S
       Poly电阻在电阻头的地方一般都是经过重搀杂的,这样才能减小接触电阻.所以一般Poly电阻都是由电阻头和电阻身体部分组成.一般工艺下poly电阻的宽度偏差在10%,所以poly电阻的计算时,要注意电阻的修正参数.4 y& K4 Q) d* z% k
       Poly电阻最好画在场氧上,这样可以减小衬底和它之间的电容,同时可以减小其他因素造成的电阻偏差.一般可以选用上层poly做poly电阻,在bicmos中,可以在poly电阻下面做deep-N+.这样可以增加poly电阻下面的氧化层.不过要注意deep-N+一定要超出poly电阻的边缘几微米.9 S: \% C" O0 t0 M0 S
       Poly电阻不能适应瞬态电流变化,因为poly电阻下面是厚氧化层,导热效果很差,并且poly电阻在一定温度下,晶格会产生变化,从而导致电阻系数变化很大.所以要将poly电阻使用在合适的地方.
  

不是所有bicmos工艺可以提供合适的电阻,因为poly做栅极的时候会通过重搀杂导致poly电阻系数很低,如果没有特殊的层次进行分辨,那么poly层就会因为电阻系数太低而不适合做电阻.尤其在silicided工艺下,poly电阻方块电阻数会降到2欧姆左右,所以必须使用如N-Well电阻等其他电阻.或者通过一些层次将需要重搀杂和silicided的地方与不需要的地方区分开.. M+ p% a% d% m; X+ g/ ]! A7 l
       Poly电阻是非常好的电阻选择,因为poly电阻偏差小,温度系数可以控制,同时不需要单独的岛.所以通常情况下,大家都会选择poly电阻.