应变硅的技术的目的是提高沟道内载流子迁移率而提出的，以弥补沟道高掺杂引起库仑相互作用，以及栅介质变薄引起有效电场强度提高和界面散射增强等因素带来的迁移率退化。

  可以产生应变的方式有很多，一般可通过工艺步骤，材料自然晶格常数的差异或是器件封装等多种方式来实现。按应变作用面积的大小可以分为局部应变（local strain）与全局应变（global strain），而施加的应力可以使张应力（tensile stress）或压应力（compressive stress）。从集成电路制造工艺上讲，应变方式又可分为衬底诱生应变（substrate induced strain）与工艺诱生应变（process induced strain）。衬底诱生应变属于全局应变，一般会在两个方向上形成大小相当的应力，因此又称为双轴应变（biaxial strain）。而工艺诱生应变则通常属于局部应变，即在沟道不同的位置应变大小也不同，同时其应变分布也与器件结构参数（如沟道长度与宽度）有密切的关联性，此类应变源于单一方向的应力变化，因此又称为单轴应变（uniaxial strain）。