MOS管有三个引脚，分别是栅极、源极和漏极
MOS管电压控制型的元件，常常用于直流负载的开关控制。由背靠背的PN结组成，可以分为N MOS管和P MOS管。MOS管有三个引脚，分别是栅极(G)、源极(S)和漏极(D)

MOS管栅极(G)、源极(S)和漏极(D)引脚意义及作用
栅极(G):MOS管的控制引脚，G的全称是Gate，当在栅极(G)施加电压后，栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会产生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。氧化物层两边形成一个电容，门极电压等于对电容充电，受电压吸引，电容另一边聚集大量电子，形成导电沟道，MOS管开始导通。

漏极(D):D的全称是Drain，对于N MOS管，电流从漏极(D)流入，对于P MOS管，电流从漏极(D)流出。

源极(S):S的全称是Source，对于N MOS管，电流从源极(S)流出，对于P MOS管，电流从源极(S)流入。

其实MOS管导通后，电流可以从漏极(D)流向源极(S)，也可以从源极(S)流向漏极(D)。

MOS管驱动方法
MOS管是电压驱动型的器件，和三极管是不同的，只有栅极(G)电压大于门极开启电压（Vgs)才可以导通。

N沟道MOS管：DR为高电平时导通（Vgs为正电压），当然Vgs要达到它的门极开启电压。

P沟道MOS管：DR为低电平时导通（Vgs为负电压），当然Vgs要达到它的门极开启电压。
如果单片机的GPIO驱动电压不足，我们可以加入三极管来协助驱动，GPIO驱动三极管的通断，MOS管则通过三极管集电极的电压来进行驱动。