解：晶体管作放大元件时，基电结处于反向偏置，基区和集电区的少数载流子在集电结强力电场的作用下全部参加漂移运动，形成微弱的反向电流，称为集电极反向电流Icbo。Icbo的测试电路如图所示：http://www.chinadz.com/~wzdz/dianzi/wtjd/8.gif

将发射极断开，在集电结加上反向电压，这时测得的c，b间的反向电流即是Icbo在温室下，小功率硅管Icbo小于1微安；小功率锗管的Icbo约为几个安培。

晶体管共发射极接法时，将基极开路，集电极--发射极之间也存在着反向电流，常称为穿透电流，用Iceo表示。图9是测量Iceo的电路。

→穿透电流Iceo是怎么形成的呢？我们可以用图10进行解释。http://www.chinadz.com/~wzdz/dianzi/wtjd/10.gif图中，基极开路，集电极于发射极之间接入了电源Ec，电源电压分别降落在集电结与发射结上。根据电源的极性，集电结获得的是反向电压，发射结获得的是正向电压，集电结的电阻很大，发射结的电阻很小，所以Ec的大部分降落在集电结上，引起集电极反向电流Icbo，小部分降落在发射结上，促使发射区向基区注入电子。这种情况如同把Ec拆成两组电池，分别加在e、b和b、c之间，又如图中所示一样（注意，基极与外电路仍然是断开的，图中从基极引出的虚线只是为了用来说明两个PN结所承受的电压）此时，发射区的电子注入基区，形成电流I'e，在基区输运的过程中，一部分电子与基区的空穴复合，形成基极电流I'b 。由于基极是断开的，基区中被复合掉的空穴只能依靠从集电极漂移过来的相应数量的空穴来补充，这就决定了基区复合电流I'b 在数值上必须与集电极反向电流Icbo相等，以保持电流的连续性。根据晶体管的电流分配关系，输运到集电区的电子，总是保持一定的比例，即I'b=βI'cbo,集电极电流Ic 则由I'c与Icbo汇合而成，即：

Ic=I'c+Icbo=βI'cbo+Icbo=(β+1)Icbo

发射极电流Ie与Ic 相等。综合上面谈到的，在基极开路时，由提个反向电流从集电极穿透到发射极，这就是穿透电流Iceo。