加载中…中国二维芯片突破：用DUV干EUV的活儿
(2025-12-08 12:00:00)| 分类： 军事与科技 |
中国的二维材料芯片量产在即，28nm产线造出3nm性能
2025-11-25
最近，复旦大学的研究团队用二硫化钼这种二维材料，在28纳米的老产线上，做出了性能接近3纳米的芯片。
西方原本觉得，中国只能困在7纳米制程里，但我们换了条赛道，靠材料创新把芯片制造推向一片崭新天地。
材料替代打开了另一扇门
传统芯片是拼命缩小晶体管，靠的是EUV技术。
台积电冲刺3纳米制程时，单台EUV光刻机就得花1.5亿美元，加上配套设施，还得再砸几十亿进去。
复旦团队换了个思路：把单原子层厚度的二硫化钼叠到硅基底上。
这种材料的厚度是0.7纳米，像横向刻蚀这种最吃光刻精度的工序就绕过去了。在28纳米以上的产线上搞出来的芯片：开关比达到10的6次方，子阈值摆幅接近理想值，密度翻了一倍
封锁逼出的创新红利
面对EUV卡脖子，我们把材料一换，密度、功耗、成本全方位碾压。
二维材料不挑光刻机，哪怕光刻机的技术停留在193纳米浸没式，靠材料叠层技术也能继续提升芯片密度。
真正的突破口在材料和架构，中国把这两样玩明白了，接下来就看谁能先把量产良率拉到90%以上。
技术路径的战略意义
二维材料最大的价值，在于绕开了ASML光刻机垄断。
化学气相沉积生长原子级薄膜、机器学习优化界面等技术，国内都能自主掌握。
在军事领域，基于二硫化钼的FPGA芯片，抗辐射能力强，像太空、卫星特别需要这类芯片。
在民用市场，在智能传感器的赛道上，边缘计算设备的功耗能降到微瓦级，穿戴设备的续航时间能翻倍。脑机接口最需要柔性芯片。
对产业链来说，国内晶圆厂只要把后端的低温转移工艺吃透，现有的DUV设备立刻能多“活”十年。5纳米、3纳米甚至2纳米性能的芯片，不用等EUV解禁就能生产。
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