这是旨在满足 5G 不断增长的需求的闪存存储。高达 1TB 的存储空间和更快的写入速度被封装进一个纤薄的尺寸架构中， 非常适合移动设备和汽车解决方案。这意味着更少的缓冲和更多的空间——因此您可以充分运用支持 5G 的优质产品。三星KLUFG4LHGC-B0E1 512GB UFS3.1三星KLUFG4LHGC-B0E1 512GB UFS3.1
 KLUDG4UHGC-B0E1 UFS 3.1 128 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11 x 13 x 0.8 mm -25 ~ 85 °C KLUEG4RHGB-B0E1 UFS 3.1 256 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11 x 13 x 0.8 mm -25 ~ 85 °C KLUEG8UHGC-B0E1 UFS 3.1 256 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11 x 13 x 0.8 mm -25 ~ 85 °C KLUFG4LHGC-B0E1 UFS 3.1 512 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C KLUFG8RHGB-B0E1 UFS 3.1 512 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C KLUGGARHGB-B0E1 UFS 3.1 1 TB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11 x 13 x 1.25 mm -25 ~ 85 °C KLUCG2UHYB-B0EP UFS 3.1 64 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C KLUCG2UHYB-B0EQ UFS 2.1 256 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C KLUDG4UHYB-B0EP UFS 3.1 128 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C KLUDG4UHYB-B0EQ UFS 3.1 64 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 95 °C KLUEG8UHYB-B0EP UFS 3.1 256 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C KLUEG8UHYB-B0EQ UFS 3.1 128 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 95 °C KLUFGAUHYB-B0EP UFS 3.1 512 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.72 mm -40 ~ 105 °C KLUFGAUHYB-B0EQ UFS 3.1 256 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 95 °C KLUDG4UHDB-B2E1 UFS 3.1 128 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 0.8 mm -25 ~ 85 °C KLUDG4UHDC-B0E1 UFS 3.1 128 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 0.8 mm -25 ~ 85 °C KLUEG8UHDB-C2E1 UFS 3.1 256 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C KLUEG8UHDC-B0E1 UFS 3.1 256 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 0.8 mm -25 ~ 85 °C KLUFG8RHDA-B2E1 UFS 3.1 512 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C KLUFG8RHDB-B0E1 UFS 3.1 512 GB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C