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1. 2. 局部mises应力变动图如下图所示。 对应0度位置如下图 对应9度位置如下图
1. 0度附近某位置(单位Mpa) 平面应变一阶非协调单元 CPE4I 937 平面应变一阶减缩单元 CPE4R 597 平面应变二阶减缩单元 CPE8R 953 平面应力一阶非协调单元 CPS4I 1311 平面应力一阶减缩单元 CPS4R 919 5度附近某位置 平面应变一阶非协调单元 CPE4I 877 平面应变一阶减缩单元 CPE4R 589 平面应变二阶减缩单元 CPE8R 1363 平面应力一阶非协调单元 CPS4I 1177 平面应力一阶减缩单元 CPS4R 777.5 可见差别巨大。平面应变(plain strain)单元假设离面应变e33为零,适合用来模拟厚结构 平面应力(plain stress)单元假设离面应力s33为零,适合用来模拟薄结构。对接触问题采用线性减缩积分单元或非协调单元(CAX4I,CPE4I,CPS4I, C3D8I)的细网格划分。总要试图使用一阶单元。 2. 3. 4. 下面列出不同网格的最大mises值。 全局网格密度0.6 不收敛 全局网格密度0.5 515.3 全局网格密度0.4 655.4 全局网格密度0.1 725.2 全局网格密度0.08 829.7 接触部位局部加密 876.7 下图为全局网格密度0.08的5度位置附近的接触状况图。 |