LOCOS:Local Oxidation Of Silicon

利用一层罩幕将晶片表面不要形成隔离SIO2层的区域加以覆盖保护,未被罩幕保护的晶片表面暴露在高温含氧的环境里制作成电性隔离效果极佳的SIO2.

因为进行晶片氧化生成几千A的SIO2,需要在1000温度以上进行,所以这层罩幕必须耐高温,并且和晶片的附着能力好,还有要有足够能力阻挡水气(因为生成数千A的SIO2靠干氧氧化速度会太慢,通常采用湿氧氧化,故含有水气).

所以现有的罩幕都是先作100多的SIO2作为缓冲层,再做1000多的SIN作为抗水汽阻挡层.因为SIO2可以缓冲SIN对silicon的应力从而达到比较好的附着力.