安泰科技与第三代半导体——
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你好，请问贵公司有三代半导体的材料吗？
irm24552844
·2023-03-14
· 来源网站
安泰科技[000969]
·2023-03-27
您好！公司控股子公司安泰天龙经过数十年在难熔金属领域的聚焦深耕，在钨钼难熔金属具备很强的高精度机加工及装配能力，自主加工组装的离子注入机钨钼配件、MOCVD加热器、热沉封装材料等材料已经在半导体行业头部企业得到广泛认证和使用，致力于打破国外垄断，积极推动第三代半导体配套关键材料的国产化。感谢您对公司的关注！谢谢！
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请问公司用于第三代半导体的高频软磁材料，目前是在研发还是有投产？
irm24570115·
2023-03-13
· 来源网站
安泰科技[000969]
·2023-03-27
您好！公司可用于第三代半导体的高频软磁材料已经量产。感谢您对公司的关注！谢谢！
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请问公司第三代半导体的高频软磁材料，市场空间有多大？公司的超薄纳米晶材料有什么优势，发展到什么程度了？谢谢！
CXZ88306337·
2022-12-20
· 来源App
安泰科技[000969]
·2022-12-30
您好！1）目前市场中5G基站、新能源汽车和快充等是第三代半导体的重要应用领域；2）公司深耕非晶纳米晶行业四十余年，前期已经承担完成了特种软磁合金领域多项国家重点专项，形成了深厚的技术积淀与丰富的科研成果。作为国内最早从事纳米晶软磁材料开发与产业化的企业，开发出一系列纳米晶产品，“纳米晶软磁合金及制品应用开发”荣获2008年国家科学技术进步二等奖，是全球产业化规模最大的国际三大非晶、纳米晶材料制造企业之一。目前，公司已开发出宽幅超薄纳米晶带材连续化生产技术，解决了纳米晶带材宽度和厚度受限的难题，提高了单炉产量和带材厚度一致性，带宽可达120mm以上、带厚可达14μm，填补了国内空白，为发展大功率高频变压器、促进灵活交流输电和电网智能化奠定了基础，荣获2021年冶金科学技术特等奖。
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请问董秘，2022年前三季度： 北方稀土，千亿市值，营收280亿，研发费用2.05亿；
中国稀土，市值300亿，营收31亿，研发费用才1244万； 钢研高纳，市值250亿，营收19亿，研发费用才8222万；
安泰科技，市值80亿，营收57亿，研发费用高达2.66亿；
请问：安泰科技研发费用到底这钱花到哪里去了？能不能创造真正有用的东西？
持股十年969·
2022-10-28
· 来源网站
安泰科技[000969]
·2022-11-13
您好！公司围绕国家重大产业技术需求，聚焦产业深耕，加大研发创新。针对新能源汽车、电力电子、智能制造、5G和AI等不同应用场景，开发高性能钕铁硼磁体和非晶纳米晶系列新产品；面向第三代半导体、高端医疗装备和第三代核电等重点领域，开发高强度、高均质化特种粉末冶金材料与制品；针对高速切削机床、汽车制造、船舶行业、航空航天等领域终端需求，不断提升高品质工模具钢材料性能；在环境工程与清洁能源领域，开发耐高温、耐高压、耐腐蚀的高性能金属多孔元件与成套过滤系统，推进氢燃料电池系统、电堆、双极板和气体扩散层等关键材料和系统的技术创新。详细内容请见公司2021年度报告。感谢您对公司的关注！谢谢！
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请问公司的哪些产品或者技术，应用在碳化硅，氮化镓方面？
irm6673925·
2022-08-25
· 来源网站
安泰科技[000969]
·2022-09-08
您好！公司暂未涉及碳化硅、氮化镓业务，但公司可以为生产第三代半导体GaN材料的金属有机物化学气相沉积设备提供核心材料和部件。感谢您对公司的关注！谢谢！
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安泰科技 MOCVD加热器
产品应用
MOCVD是一种利用有机金属分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。为了生长出多组分、大面积、薄层和超薄层化合物半导体材料，
MOCVD设备除了要考虑系统密封性、流量、组分变换迅速等，最重要的是反应腔的温度控制。MOCVD腔体温度控制精度需达到0.2或更高，高的温度均匀性也是产品良率的重要保证。
材料介绍
因为钨、钼、铼等难熔金属材料具有耐高温、低污染、优异的耐蠕变性能、较高的尺寸稳定性、膨胀系数低、可焊接性能等优势，所以被广泛用做MOCVD加热器的加热丝、隔热屏、导电板等零部件。铼加热丝
- 铼板，铼片，铼棒
- 钨棒、钨板、钨箔、钨丝
- 其他定制钨制品
- 其他定制钼制品
产品规格
我公司MOCVD项目的技术研发实力雄厚，可以提供整套加热器设计方案、产品，同时还可以为客户提供MOCVD设备加热片的更换、升级以及修复等服务。
V系列：K465（i）、EPIK700、E475、K475、Maxbright
系列MOCVD加热器的修复、升级、更换。
A系列：CRIUS，CRIUS II， CRIUS II-L
系列MOCVD加热器的修复、升级、更换。
我公司还拥有自主开发MOCVD加热器的技术和经验，可根据客户需求提供整套技术及产品解决方案。
公司优势
我们从2007年开始进行MOCVD加热器的研究，并已与国际国内多家设备制造商形成战略合作关系，共同开发MOCVD设备。目前安泰天龙MOCVD加热器组件已大批量应用于全球在运行外延设备。
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安泰科技 电子封装及热沉材料
材料介绍
电子封装是将一个具有一定功能的集成电路芯片（包括半导体集成电路芯片、薄膜集成电路基片、混合集成电路芯片）放置在一个与之相适应的外壳容器中，为芯片提供一个稳定可靠的工作环境，保护芯片不受或少受外部环境影响，使集成电路具有稳定正常的功能。同时封装也是芯片输出、输入端向外过渡的连接手段，与芯片共同形成一个完整的整体。电子封装材料要求具有一定的机械强度、良好的电气性能、散热性能和化学稳定性，并根据集成电路类别和使用场所的不同，选用不同的封装结构和材料。
在功率电子器件和电路中散热是一个不可避免的副产品。热沉材料有助于消散芯片热量，将其传输到周围的空气中。
钼铜、钨铜、CMC和CMCC材料结合了钼、钨的低热膨胀率和铜的高热导率，可有效释放电子器件的热量，有助于冷却 IGBT
模块、RF功率放大器、LED
芯片等各种产品，可用于大规模集成电路和大功率微波器件中作为绝缘金属基片、热控板和散热元件（热沉材料）和引线框架。
功率半导体封装管壳
IGBT模块
产品规格
我们可以提供如下产品用于功率电子器件和电路中：
热沉材料
- 钨铜合金
- 钼铜合金
- CMC，CMCC
- 钼元
电子封装材料
- AlSiC
- AlSi
钨铜合金
产品优势：产品孔隙率极低，BET法测定的比表面为国内同行的一半（选用5*5*52mm样品100只比较）。产品具有良好的气密性，氦质谱仪检漏测验<5*10-9Pa•m3/S可完全通过。
不添加任何活化烧结元素如铁、镍、钴、锰。具有良好的热导性能及热膨胀匹配性能。优异的加工精度、表面光洁度和平整度。可提供电镀表面。
产品规格：钨铜裸片及表面镀镍、镀金。
钼铜合金
产品优势：钼铜合金相比较于钨铜合金，其密度较低。产品孔隙率极低，BET法测定的比表面为国内同行的一半（选用5*5*52mm样品100只比较）。产品具有良好的气密性，氦质谱仪检漏测验<5*10-9Pa•m3/S可完全通过。具有高热导率和较低的热膨胀系数，优异的加工精度、表面光洁度和平整度。可提供电镀表面。
产品规格：钼铜裸片及表面镀镍、镀金。
铜-钼铜-铜、铜-钼-铜
产品优势：CMCC（铜-钼铜-铜）和CMC（铜-钼-铜）是一种三层结构材料，芯材为钼铜或钼，双面覆以铜。其以较低的热膨胀系数和远优于WCu和MoCu的热导率为高功率电子元器件提供更优替换方案，有助于冷却
IGBT 模块等各种大功率元器件。
产品规格：我们可以为客户提供各种厚度和不同层数结构的层片结构材料，以满足客户的各种使用要求。
典型热沉材料性能表
钼原片
产品优势：我司的钼原片具有优异的热导率和导电率，热膨胀系数与基板匹配性高，可以为客户提供裸片和镀层产品。产品广泛应用于电力半导体器件大功率晶闸管，快速晶闸管。
产品规格：圆形钼原片：厚度: 0.05 ~ 7.0 mm；直径: 2.5 ~ 150.0 mm
AlSiC
产品优势：（AlSiC）铝碳化硅IGBT基板是高铁上必不可少的零件。铝碳化硅复合材料是将碳化硅陶瓷与金属铝复合而成的新材料，将陶瓷与金属的优秀品质齐集一身，热导率高、热膨胀系数低、比刚度好、质量轻，是理想的功率电子基板材料和衬底材料，与电子芯片焊接后可实现良好工作匹配。铝碳化硅基板封装的IGBT产品广泛应用于高铁驱动、地铁驱动、新能源汽车、风力发电、焊接机器人等行业。
AlSi
产品优势：主要用于电子封装，在微波功率器件，集成功率模块，T/R模块等电子功率器件中，利用硅铝合金作为电子封装材料的基座，外壳，盒体，盖板，匹配性好，可提供更好的散热，能极大的延长封装大功率模块的使用寿命，可靠性增加。该材料具有重量轻（密度2.4—2.7g/cm3），热导率高，热膨胀系数低，刚度高，易于机加工，表面镀覆性能以及焊接性能好，材料致密性好，耐高温，耐腐蚀等特点。
公司优势
公司通过ISO9001、14001和OHSAS18001体系认证，为您提供持续稳定合格的高品质产品。
国内钨渗铜、钼渗铜材料的发明单位，60年代开始研制生产。
发展了Mo-Cu和W-Cu材料体系多个牌号的配套材料。
五十多年持续的配套生产，具有丰富的研发和生产经验，产品质量和技术保持领先水平。
可以为您提供稳定可靠地全系列钨铜、钼铜产品。
拥有齐全配套的检验设备，可及时为客户提供产品性能检测数据。
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安泰科技 半导体离子注入部件
产品应用
半导体离子注入技术是一种材料表面改性高新技术，在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。
用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。
材料介绍
安泰天龙离子注入机用钨钼产品具有稳定的高纯度，良好的力学性能，以保证适合加工形状复杂的弧室零部件。
高纯度钨钼弧室是半导体芯片良率的基本保障，安泰天龙的高性能离子注入Source
Head钨钼部件又极大降低了机台维护频率，保证了客户产能，是客户首选产品。
我公司生产的如下材料可广泛应用于半导体离子注入部件:
- 钨棒、钨板、钨箔、钨丝
- 其他定制钨制品
产品规格
拥有完整的进口精密加工设备，以自产的钨、钼、钽、铌材料做为品质基础，结合国外先进技术，能够按客户的要求设计、生产加工高精度高品质产品。
成功案例
安泰天龙有完整的材料加工设备，可以向用户提供钨、钼、钽、铌及其合金等难熔金属的板、片、棒、杆。
能够提供大束流、中束流、高能离子源用钨、钼制品；可以提供钨高能离子源部件、钨或钼的大束流离子注入部件，钼中束流离子源部件。目前产品已经提供给台湾、美国等知名厂商。
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安泰科技 太阳能和平板显示器用溅射靶材
产品应用
使用磁控溅射方法，微小的钼金属颗粒从钼靶材中汽化，随后沉积在玻璃衬底上形成薄膜。钼涂层是TFT-LCD屏幕的薄膜晶体管的重要组成部分。通过钼涂层，能够瞬间控制个体图像点（像素），从而确保特别清晰的图像质量。钼涂层同样应用于CIGS太阳能电池的静合触点。
材料介绍
钼具有高熔点、高电导率、较低的比阻抗、较好的耐腐蚀性以及良好的环保性能，使得钼溅射靶可在各类基材上形成薄膜，这种溅射薄膜广泛应用于电子部件和电子产品。
- 钼粉、钼棒、钼板、钼片、钼丝
- 其他定制钼制品
产品规格
我们可以提供目前全世代生产线的钼靶材产品：
公司优势
严格稳定的质量控制，确保出厂产品具备99.95%以上极高纯度、小于100μm的晶粒度、10.15g/cm3（＞99%）以上的高致密度；
国内领先的大型烧结设备和2300mm宽轧机，可以生产G5.5代线靶材；
大型磨床及其他精密加工设备可以确保产品的精密尺寸；
有效行程4000mm*2000mm的大尺寸无损探伤设备，确保产品无缺陷出厂，达到您期望的完美镀膜效果
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喜报！安泰科技超薄纳米晶材料进军第三代半导体行业
（ 原文出自安泰科技官网 ）
安泰科技股份有限公司
2022-12-08
09:40
发表于北京
前言
近日，安泰科技获得科技部“十四五”国家重点研发计划“高端功能与智能材料”支持，成功申请2022年度科技部重点专项——面向第三代半导体应用的高频软磁材料（共性关键技术）项目，标志着安泰科技超薄纳米晶材料正式进军第三代半导体行业。
用于第三代半导体的超薄纳米晶带材Antainano
以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体的发展已列入“十四五”规划成为国家战略，第三代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性，可以实现更好的电子浓度和运动控制，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值，目前市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等更是它的重要应用领域。
第三代半导体的应用加速了电力电子装备朝着高频化、小型化、高效化方向发展，对与之配套的软磁材料高频性能提出了更高要求，高频阻抗特性、高频低损耗特性、超薄带材（＜14μm），传统的纳米晶带材及其元器件的性能指标还难于满足上述要求，从而严重影响第三代半导体器件的发展与应用，为此，亟需开发出新一代高频低损耗纳米晶带材及其元器件。安泰科技深耕非晶纳米晶行业四十余年，前期已经承担完成了特种软磁合金领域多项国家重点专项，形成了深厚的技术积淀与丰富的科研成果。作为国内最早从事纳米晶软磁材料开发与产业化的企业，开发出一系列纳米晶产品（Antainano），“纳米晶软磁合金及制品应用开发”荣获2008年国家科学技术进步二等奖，是全球产业化规模最大的国际三大非晶、纳米晶材料制造企业之一。面对超薄纳米晶带材市场的巨大需求与挑战，在具有自主知识产权的万吨级非晶带材连续化生产技术基础上，开发出宽幅超薄纳米晶带材连续化生产技术，解决了纳米晶带材宽度和厚度受限的难题，提高了单炉产量和带材厚度一致性，带宽可达120mm以上、带厚可达14μm，填补了国内空白，为发展大功率高频变压器、促进灵活交流输电和电网智能化奠定了基础，荣获2021年冶金科学技术特等奖。
重任在肩、当仁不让。安泰科技将以实施国家重点专项为契机，更加奋发有为、不断创新突破，进一步发挥和巩固在非晶纳米晶领域的技术和产业优势，加快突破第三代半导体器件用高频软磁材料的技术瓶颈，加速推进高频高性能纳米晶软磁材料在SiC/GaN第三代半导体电源模块中的关键技术集成，以及在信息通讯、新能源汽车、5G终端等领域的示范应用，提升安泰科技在全球半导体产业链中的配套能力。
非晶制品分公司
文、图｜李百松
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以上仅为个人观点，个人投资笔记。不构成任何投资依据！
相关资料与观点，仅供参考！
据此入市，风险自担，盈亏自负！
股市有风险，投资需谨慎！
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$上证指数(SH000001)$
$创业板指(SZ399006)$
$安泰科技(SZ000969)$
安泰科技与第三代半导体——
安泰科技与第三代半导体——
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你好，请问贵公司有三代半导体的材料吗？
irm24552844
·2023-03-14
· 来源网站
安泰科技[000969]
·2023-03-27
您好！公司控股子公司安泰天龙经过数十年在难熔金属领域的聚焦深耕，在钨钼难熔金属具备很强的高精度机加工及装配能力，自主加工组装的离子注入机钨钼配件、MOCVD加热器、热沉封装材料等材料已经在半导体行业头部企业得到广泛认证和使用，致力于打破国外垄断，积极推动第三代半导体配套关键材料的国产化。感谢您对公司的关注！谢谢！
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请问公司用于第三代半导体的高频软磁材料，目前是在研发还是有投产？
irm24570115·
2023-03-13
· 来源网站
安泰科技[000969]
·2023-03-27
您好！公司可用于第三代半导体的高频软磁材料已经量产。感谢您对公司的关注！谢谢！
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请问公司第三代半导体的高频软磁材料，市场空间有多大？公司的超薄纳米晶材料有什么优势，发展到什么程度了？谢谢！
CXZ88306337·
2022-12-20
· 来源App
安泰科技[000969]
·2022-12-30
您好！1）目前市场中5G基站、新能源汽车和快充等是第三代半导体的重要应用领域；2）公司深耕非晶纳米晶行业四十余年，前期已经承担完成了特种软磁合金领域多项国家重点专项，形成了深厚的技术积淀与丰富的科研成果。作为国内最早从事纳米晶软磁材料开发与产业化的企业，开发出一系列纳米晶产品，“纳米晶软磁合金及制品应用开发”荣获2008年国家科学技术进步二等奖，是全球产业化规模最大的国际三大非晶、纳米晶材料制造企业之一。目前，公司已开发出宽幅超薄纳米晶带材连续化生产技术，解决了纳米晶带材宽度和厚度受限的难题，提高了单炉产量和带材厚度一致性，带宽可达120mm以上、带厚可达14μm，填补了国内空白，为发展大功率高频变压器、促进灵活交流输电和电网智能化奠定了基础，荣获2021年冶金科学技术特等奖。
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请问董秘，2022年前三季度： 北方稀土，千亿市值，营收280亿，研发费用2.05亿； 中国稀土，市值300亿，营收31亿，研发费用才1244万； 钢研高纳，市值250亿，营收19亿，研发费用才8222万； 安泰科技，市值80亿，营收57亿，研发费用高达2.66亿； 请问：安泰科技研发费用到底这钱花到哪里去了？能不能创造真正有用的东西？
持股十年969·
2022-10-28
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安泰科技[000969]
·2022-11-13
您好！公司围绕国家重大产业技术需求，聚焦产业深耕，加大研发创新。针对新能源汽车、电力电子、智能制造、5G和AI等不同应用场景，开发高性能钕铁硼磁体和非晶纳米晶系列新产品；面向第三代半导体、高端医疗装备和第三代核电等重点领域，开发高强度、高均质化特种粉末冶金材料与制品；针对高速切削机床、汽车制造、船舶行业、航空航天等领域终端需求，不断提升高品质工模具钢材料性能；在环境工程与清洁能源领域，开发耐高温、耐高压、耐腐蚀的高性能金属多孔元件与成套过滤系统，推进氢燃料电池系统、电堆、双极板和气体扩散层等关键材料和系统的技术创新。详细内容请见公司2021年度报告。感谢您对公司的关注！谢谢！
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请问公司的哪些产品或者技术，应用在碳化硅，氮化镓方面？
irm6673925·
2022-08-25
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安泰科技[000969]
·2022-09-08
您好！公司暂未涉及碳化硅、氮化镓业务，但公司可以为生产第三代半导体GaN材料的金属有机物化学气相沉积设备提供核心材料和部件。感谢您对公司的关注！谢谢！
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安泰科技 MOCVD加热器
产品应用
MOCVD是一种利用有机金属分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。为了生长出多组分、大面积、薄层和超薄层化合物半导体材料， MOCVD设备除了要考虑系统密封性、流量、组分变换迅速等，最重要的是反应腔的温度控制。MOCVD腔体温度控制精度需达到0.2或更高，高的温度均匀性也是产品良率的重要保证。
材料介绍
因为钨、钼、铼等难熔金属材料具有耐高温、低污染、优异的耐蠕变性能、较高的尺寸稳定性、膨胀系数低、可焊接性能等优势，所以被广泛用做MOCVD加热器的加热丝、隔热屏、导电板等零部件。铼加热丝
- 铼板，铼片，铼棒
- 钨棒、钨板、钨箔、钨丝
- 其他定制钨制品
- 其他定制钼制品
产品规格
我公司MOCVD项目的技术研发实力雄厚，可以提供整套加热器设计方案、产品，同时还可以为客户提供MOCVD设备加热片的更换、升级以及修复等服务。
V系列：K465（i）、EPIK700、E475、K475、Maxbright 系列MOCVD加热器的修复、升级、更换。
A系列：CRIUS，CRIUS II， CRIUS II-L 系列MOCVD加热器的修复、升级、更换。 我公司还拥有自主开发MOCVD加热器的技术和经验，可根据客户需求提供整套技术及产品解决方案。
公司优势
我们从2007年开始进行MOCVD加热器的研究，并已与国际国内多家设备制造商形成战略合作关系，共同开发MOCVD设备。目前安泰天龙MOCVD加热器组件已大批量应用于全球在运行外延设备。
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安泰科技 电子封装及热沉材料
材料介绍
电子封装是将一个具有一定功能的集成电路芯片（包括半导体集成电路芯片、薄膜集成电路基片、混合集成电路芯片）放置在一个与之相适应的外壳容器中，为芯片提供一个稳定可靠的工作环境，保护芯片不受或少受外部环境影响，使集成电路具有稳定正常的功能。同时封装也是芯片输出、输入端向外过渡的连接手段，与芯片共同形成一个完整的整体。电子封装材料要求具有一定的机械强度、良好的电气性能、散热性能和化学稳定性，并根据集成电路类别和使用场所的不同，选用不同的封装结构和材料。
在功率电子器件和电路中散热是一个不可避免的副产品。热沉材料有助于消散芯片热量，将其传输到周围的空气中。
钼铜、钨铜、CMC和CMCC材料结合了钼、钨的低热膨胀率和铜的高热导率，可有效释放电子器件的热量，有助于冷却 IGBT 模块、RF功率放大器、LED 芯片等各种产品，可用于大规模集成电路和大功率微波器件中作为绝缘金属基片、热控板和散热元件（热沉材料）和引线框架。
功率半导体封装管壳
IGBT模块
产品规格
我们可以提供如下产品用于功率电子器件和电路中：
热沉材料
- 钨铜合金
- 钼铜合金
- CMC，CMCC
- 钼元
电子封装材料
- AlSiC
- AlSi
钨铜合金
产品优势：产品孔隙率极低，BET法测定的比表面为国内同行的一半（选用5*5*52mm样品100只比较）。产品具有良好的气密性，氦质谱仪检漏测验<5*10-9Pa•m3/S可完全通过。 不添加任何活化烧结元素如铁、镍、钴、锰。具有良好的热导性能及热膨胀匹配性能。优异的加工精度、表面光洁度和平整度。可提供电镀表面。
产品规格：钨铜裸片及表面镀镍、镀金。
钼铜合金
产品优势：钼铜合金相比较于钨铜合金，其密度较低。产品孔隙率极低，BET法测定的比表面为国内同行的一半（选用5*5*52mm样品100只比较）。产品具有良好的气密性，氦质谱仪检漏测验<5*10-9Pa•m3/S可完全通过。具有高热导率和较低的热膨胀系数，优异的加工精度、表面光洁度和平整度。可提供电镀表面。
产品规格：钼铜裸片及表面镀镍、镀金。
铜-钼铜-铜、铜-钼-铜
产品优势：CMCC（铜-钼铜-铜）和CMC（铜-钼-铜）是一种三层结构材料，芯材为钼铜或钼，双面覆以铜。其以较低的热膨胀系数和远优于WCu和MoCu的热导率为高功率电子元器件提供更优替换方案，有助于冷却 IGBT 模块等各种大功率元器件。
产品规格：我们可以为客户提供各种厚度和不同层数结构的层片结构材料，以满足客户的各种使用要求。
典型热沉材料性能表
钼原片
产品优势：我司的钼原片具有优异的热导率和导电率，热膨胀系数与基板匹配性高，可以为客户提供裸片和镀层产品。产品广泛应用于电力半导体器件大功率晶闸管，快速晶闸管。
产品规格：圆形钼原片：厚度: 0.05 ~ 7.0 mm；直径: 2.5 ~ 150.0 mm
AlSiC
产品优势：（AlSiC）铝碳化硅IGBT基板是高铁上必不可少的零件。铝碳化硅复合材料是将碳化硅陶瓷与金属铝复合而成的新材料，将陶瓷与金属的优秀品质齐集一身，热导率高、热膨胀系数低、比刚度好、质量轻，是理想的功率电子基板材料和衬底材料，与电子芯片焊接后可实现良好工作匹配。铝碳化硅基板封装的IGBT产品广泛应用于高铁驱动、地铁驱动、新能源汽车、风力发电、焊接机器人等行业。
AlSi
产品优势：主要用于电子封装，在微波功率器件，集成功率模块，T/R模块等电子功率器件中，利用硅铝合金作为电子封装材料的基座，外壳，盒体，盖板，匹配性好，可提供更好的散热，能极大的延长封装大功率模块的使用寿命，可靠性增加。该材料具有重量轻（密度2.4—2.7g/cm3），热导率高，热膨胀系数低，刚度高，易于机加工，表面镀覆性能以及焊接性能好，材料致密性好，耐高温，耐腐蚀等特点。
公司优势
公司通过ISO9001、14001和OHSAS18001体系认证，为您提供持续稳定合格的高品质产品。
国内钨渗铜、钼渗铜材料的发明单位，60年代开始研制生产。
发展了Mo-Cu和W-Cu材料体系多个牌号的配套材料。
五十多年持续的配套生产，具有丰富的研发和生产经验，产品质量和技术保持领先水平。
可以为您提供稳定可靠地全系列钨铜、钼铜产品。
拥有齐全配套的检验设备，可及时为客户提供产品性能检测数据。
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安泰科技 半导体离子注入部件
产品应用
半导体离子注入技术是一种材料表面改性高新技术，在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。
用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。
材料介绍
安泰天龙离子注入机用钨钼产品具有稳定的高纯度，良好的力学性能，以保证适合加工形状复杂的弧室零部件。
高纯度钨钼弧室是半导体芯片良率的基本保障，安泰天龙的高性能离子注入Source Head钨钼部件又极大降低了机台维护频率，保证了客户产能，是客户首选产品。
我公司生产的如下材料可广泛应用于半导体离子注入部件:
- 钨棒、钨板、钨箔、钨丝
- 其他定制钨制品
产品规格
拥有完整的进口精密加工设备，以自产的钨、钼、钽、铌材料做为品质基础，结合国外先进技术，能够按客户的要求设计、生产加工高精度高品质产品。
成功案例
安泰天龙有完整的材料加工设备，可以向用户提供钨、钼、钽、铌及其合金等难熔金属的板、片、棒、杆。 能够提供大束流、中束流、高能离子源用钨、钼制品；可以提供钨高能离子源部件、钨或钼的大束流离子注入部件，钼中束流离子源部件。目前产品已经提供给台湾、美国等知名厂商。
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安泰科技 太阳能和平板显示器用溅射靶材
产品应用
使用磁控溅射方法，微小的钼金属颗粒从钼靶材中汽化，随后沉积在玻璃衬底上形成薄膜。钼涂层是TFT-LCD屏幕的薄膜晶体管的重要组成部分。通过钼涂层，能够瞬间控制个体图像点（像素），从而确保特别清晰的图像质量。钼涂层同样应用于CIGS太阳能电池的静合触点。
材料介绍
钼具有高熔点、高电导率、较低的比阻抗、较好的耐腐蚀性以及良好的环保性能，使得钼溅射靶可在各类基材上形成薄膜，这种溅射薄膜广泛应用于电子部件和电子产品。
- 钼粉、钼棒、钼板、钼片、钼丝
- 其他定制钼制品
产品规格
我们可以提供目前全世代生产线的钼靶材产品：
公司优势
严格稳定的质量控制，确保出厂产品具备99.95%以上极高纯度、小于100μm的晶粒度、10.15g/cm3（＞99%）以上的高致密度；
国内领先的大型烧结设备和2300mm宽轧机，可以生产G5.5代线靶材；
大型磨床及其他精密加工设备可以确保产品的精密尺寸；
有效行程4000mm*2000mm的大尺寸无损探伤设备，确保产品无缺陷出厂，达到您期望的完美镀膜效果
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喜报！安泰科技超薄纳米晶材料进军第三代半导体行业
（ 原文出自安泰科技官网 ）
安泰科技股份有限公司
2022-12-08 09:40
发表于北京
前言
近日，安泰科技获得科技部“十四五”国家重点研发计划“高端功能与智能材料”支持，成功申请2022年度科技部重点专项——面向第三代半导体应用的高频软磁材料（共性关键技术）项目，标志着安泰科技超薄纳米晶材料正式进军第三代半导体行业。
用于第三代半导体的超薄纳米晶带材Antainano
以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体的发展已列入“十四五”规划成为国家战略，第三代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性，可以实现更好的电子浓度和运动控制，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值，目前市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等更是它的重要应用领域。
第三代半导体的应用加速了电力电子装备朝着高频化、小型化、高效化方向发展，对与之配套的软磁材料高频性能提出了更高要求，高频阻抗特性、高频低损耗特性、超薄带材（＜14μm），传统的纳米晶带材及其元器件的性能指标还难于满足上述要求，从而严重影响第三代半导体器件的发展与应用，为此，亟需开发出新一代高频低损耗纳米晶带材及其元器件。安泰科技深耕非晶纳米晶行业四十余年，前期已经承担完成了特种软磁合金领域多项国家重点专项，形成了深厚的技术积淀与丰富的科研成果。作为国内最早从事纳米晶软磁材料开发与产业化的企业，开发出一系列纳米晶产品（Antainano），“纳米晶软磁合金及制品应用开发”荣获2008年国家科学技术进步二等奖，是全球产业化规模最大的国际三大非晶、纳米晶材料制造企业之一。面对超薄纳米晶带材市场的巨大需求与挑战，在具有自主知识产权的万吨级非晶带材连续化生产技术基础上，开发出宽幅超薄纳米晶带材连续化生产技术，解决了纳米晶带材宽度和厚度受限的难题，提高了单炉产量和带材厚度一致性，带宽可达120mm以上、带厚可达14μm，填补了国内空白，为发展大功率高频变压器、促进灵活交流输电和电网智能化奠定了基础，荣获2021年冶金科学技术特等奖。
重任在肩、当仁不让。安泰科技将以实施国家重点专项为契机，更加奋发有为、不断创新突破，进一步发挥和巩固在非晶纳米晶领域的技术和产业优势，加快突破第三代半导体器件用高频软磁材料的技术瓶颈，加速推进高频高性能纳米晶软磁材料在SiC/GaN第三代半导体电源模块中的关键技术集成，以及在信息通讯、新能源汽车、5G终端等领域的示范应用，提升安泰科技在全球半导体产业链中的配套能力。
非晶制品分公司
文、图｜李百松
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