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裴高才:“硅材料大侠”梁骏吾院士远行,木兰山铭旌颂巨匠

(2022-06-26 11:29:11)
标签:

科学家、院士

裴高才

文化学者

作家

分类: 名人传记

“木兰山铭旌颂巨匠;烟波江溅泪吊梁公!”惊悉从湖北黄陂走出的中国工程院院士、中国半导体材料的元老级科学家梁骏吾先生,于2022年6月23日17时因病在北京远行,笔者特拟挽联向梁公亲属志哀。家乡还将院士业绩收入即将出版的《武汉城市史》(黄陂卷),追怀院士的科技报国光风。

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收入梁院士业绩的《无陂不成镇》三部曲,裴高才、王凤霞主创,长江出版社2009.6

      院士公子收到笔者挽联后回复:“多谢裴兄,此联将打印出挂在所里追思会灵堂!”

“笑慰人生奉献乐”

我对梁骏吾院士是先闻其名、后当面请益。那是2008年秋,我在编纂《无陂不成镇》三部曲之《名流百年》时,拟将梁院士收入“学界骄子”一节,就拨通了院士的电话,院士却婉拒“不值得写”。

裴高才:“硅材料大侠”梁骏吾院士远行,木兰山铭旌颂巨匠
     右起裴高才向梁骏吾赠《田长霖新传》

不日,我再给院士夫人、电子学家闻瑞梅(闻一多侄女)女士打电话,并说明这是家乡政府立项图书,已草拟一稿敬请其审定。闻老这才告知邮箱,我发去了初稿后由闻老亲笔修改。直到2015年底,我才在北京拜访他们并题签新作《田长霖新传》。

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右起裴高才向梁骏吾伉俪题签《田长霖新传》,左起梁公子与胡炳基-朱新国摄

“永不满足,永求创造。”梁骏吾(1933-2022)院士的科技人生写照。 祖籍湖北黄陂县城小西门内,父亲梁光藻,母亲王剑秋。他1933年9月18日生于武汉,先后在汉口、黄陂县立第一完全小学(今前川一小)上小学,1945年考入武汉市一中,1955年毕业于武汉大学。1956年被选派前往苏联科学院冶金研究所主攻半导体材料,在1960年研究生毕业考试中,他以优异成绩夺得副博士学位。

回国后半个多世纪,梁公一直是中国半导体事业的奠基人与开拓者。自1985年被聘为研究员、博士生导师后,1997年当选为中国工程院院士。因曾十多次荣膺国家级和省部委级科技奖,被誉为“硅材料大侠”。

院士伉俪情深,他们曾是武大同学、中科院半导体所同事,可谓“科技之家”。闻瑞梅曾任中科院半导体所研究员、同济大学博导,也是一位成果累累的科学家。她曾获27项发明专利,16项省部级及国家科技进步奖。享有“中国水母”的美称。她曾以诗言及他们伉俪的鸿鹄壮志:“问我登攀意如何,家珍何如成果硕?且说拼搏吾侪愿,笑慰人生奉献乐。”

三十岁摘取国家科技奖

梁骏吾是我国半导体材料的元老级专家。他学成回国时,中国科学院半导体研究所刚成立,他就把研究半导体作为自己的终身职业。根据我国“十二年科学技术发展远景规划”,梁骏吾承担了中科院将高纯硅单晶的制备任务。他从设备设计、制作到单晶提纯生长工艺,实现了关键技术的突破:创造性地解决了国产高频区熔炉不能长期、稳定、可靠运行的难题,不仅满足了区熔硅生产的需要,还能满足其他多种工艺的要求。这一成果不仅完成了国家重点科研任务,也是当时国际上最好结果之一。他时年30岁因此获得了1964年国家科委全国新产品奖和国家科技成果二等奖。

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梁骏吾译著:太阳电池材料 制备工艺及检测 马克沃特西卡斯特纳 梁骏吾 机械工业出版社

紧接着,他又负责半导体外延工作,为砷化镓液相外延做出了开拓性工作,用这种材料首次在国内研制成功室温脉冲相干激光器。


率先打破外商垄断

“一定要把大规模集成电路搞上去。”1978-1981年,梁骏吾在4K和16K位DRAM研制中,负责硅单晶材料的攻关。成功地拉制了无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高质硅单晶材料。该两项研究均获中科院重大成果一等奖。

随后,他首创了掺氮中子嬗变硅单晶,解决了长期困扰生产厂家的硅中位错运动和繁殖以及电阻率的均匀性等重大技术难题,获得了机械性能好、电阻率均匀的区熔硅单晶。在许多材料和器件工厂得到了广泛应用,取得了显著的经济效益。因而一举夺得1988年中科院科技进步一等奖。

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梁骏吾发表宏论:《新材料产业》2000年第12期 102-104

在“七五”和“八五”攻关中,他解决了外延中气体动力学与热力学耦合计算的问题,为外延炉设计提供了理论依据。完成了新一代微机控制光加热外延炉,鉴定认为“打破了外商垄断,国内首创”“在外延层本底电阻率、过渡区宽、掺杂电阻率、径向不均匀度等多项参数上均达到国际先进水平”,还获得中科院科技进步二等奖、三等奖各一次。

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华年日拾——梁骏吾院士80华诞记怀,科学出版社2013.9

1992年,他“突破了我国多年来未能生长低阈值电流密度的量子阱激光器MOCVD材料的局面”,全面完成了“863”任务—MOCVD AlGaAs/GaAs量子阱超晶格材料任务。为第二代(即超晶格、量子阱)光电材料作出了贡献。鉴于他的杰出贡献,1993年被评为中国科学院优秀导师,1994年获中科院科技进步二等奖,1996年荣膺国家级科技进步三等奖,1997年当选为中国工程院院士。同时,他还是中国电子学会理事与中国电子学会电子材料分会主任等。享有“硅材料大侠”之美誉。

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梁骏吾院士在宜昌作关于电子级多晶硅材料的科普报告后签约

青青子衿,赤子情怀

梁骏吾也是科技报国与爱乡的赤子。即使在文化大革命期间,他仍然奋战在开发半导体材料第一线。在“156工程”中,他负责集成电路用硅外延材料国家任务。解决了连续生长高掺杂硅外延层、介质SiO2层、多晶硅层等的工艺技术,为我国第一代介质隔离集成电路提供了外延材料和设备。

自1969年从中科院调往宜昌半导体厂八年间,他仍在湖北家乡进行科技攻关。改革开放后,他与夫人出任家乡武汉大学与华中科技大学的兼职教授。2014年,他又到宜昌讲学并在此设立湖北省院士专家工作站……

院士生前曾亲口告诉笔者:他1980年光荣地加入中国共产党,这也是他毕生孜孜以求的目标。对于家乡黄陂,也以不同形式关心与支持,他曾亲笔题词:“黄陂山河秀,家乡景色美。滠水春常在,盘龙喜腾飞。”

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梁骏吾在北京参加家乡迎春研讨会时手书寄语家乡黄陂


 


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