各国半导体的命名法则

一、中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分组成。五个部分意义如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。

第四部分：用数字表示序号，无实际意义。

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号

例如：3DG6表示NPN型硅材料高频三极管

3DD15表示NPN型硅低频大功率三极管

注：场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分。

注：PIN是指在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层,由P-I-N构成的二极管就是PIN 二极管。它主要用在RF领域，用作RF Switch和RF保护电路，也有用做Photo-Diode。

二、日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

第二部分：用“S”表示已在JEIA（日本电子工业协会）注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

第四部分：用数字表示在JEIA（日本电子工业协会）登记的顺序号。两位以上的整数。从“10”开始，不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

对于三极管，第一部分和第二部分组成的“2S” 通常被省略掉，只留三、四、五这三个部分。

例如：2SA1015通常被印成A1015

C1815A表示C1815的改进型产品

1N4007整流二极管、1N4148开关二极管

三、美国半导体分立器件型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下表：

如：JAN2N3251A：表示PNP硅高频小功率开关三极管。

JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251 A档。

2N2222A：表示非军用品NPN型硅低频小功率三极管。

2-三极管、N-EIA 注册标志、2222-EIA登记顺序号、A-2N2222的A档

2N5401：PNP型小功率三极管；2N5551：NPN型小功率三极管

四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德、法、意、荷、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

例如：

BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管。B-表示NPN型硅、D-表示低频大功率三极管

X51-表示专用半导体器件等级序号。

AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

BC547 NPN型硅低频小功率三极管；BD243 NPN型硅低频大功率三极管

BD244 PNP型硅低频大功率三极管；BU508A NPN型硅大功率开关管（行管）

BF458 NPN型硅高频小功率三极管（视放管）

BUV26 NPN型硅大功率专用三极管；BUT11A NPN型硅大功率专用三极管

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。

其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；

后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；

后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。

第一部分：O-表示半导体器件

第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。

第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。

第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。