光刻机是半导体产业中最关键设备，为了实现摩尔定律，光刻技术就需要每两年把曝光关键尺寸（CD）降低30％-50％。光刻机的工作原理也受到光学衍射极限的限制。根据瑞利公式：CD＝k1×（λ／NA），我们能做的就是降低曝光光波的波长λ，提高镜头的数值孔径NA，降低综合因素k1，才能不断把曝光关键尺寸（CD）降低。根据光刻机所用光源改进和工艺创新，光刻机经历了 5 代产品的发展，每次的改进和创新都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点，目前光刻机已发展到等5代光刻机——EUV,所谓的EUV，是指采用波长为10——14nm的极紫外光作为曝光光源，按λ/π可知，EUV光刻机能达到的最小的工艺节点为3——5nm的制程，前四代光刻机使用的光源都属于深紫外光光源，但在摩尔定律的推动下，半导体产业对芯片的需求已发展到5nm，甚至是3nm，浸入式光刻面临更为严峻的镜头孔径和材料挑战，而第五代EUV程光刻机，可将最小的工艺节点推进到5nm、3nm。