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电子自旋的发现

(2018-11-12 10:45:23)

自旋是微观粒子必备的特性。现代物理实验清楚的表明,宇宙中基本粒子都显得具有一内禀角动量,等于   h/4π的某一整数倍(h为普朗克常数),特别是我们最熟悉的质子、中子、电子、光子和中微子等都具有一内禀角动量。在这一尺度量级上我们虽不能确言什么东西在旋转或怎样旋转,但有这样一个事实,内禀角动量有一个重要性质,在有这些粒子参与的一切相互作用和重新组合中,角动量总是守恒的。在基本粒子中,电子应算是最接近于质点的粒子,电子具有非常确定的质量和电荷,实验显示电子在10-17cm量级仍表现得像个质点,不呈现内部结构,但电子却有着某种类似于内部结构的自旋角动量和自旋磁矩,一个没有大小的质点却具有旋转角动量和空间方向性及磁矩,这似乎很荒谬,但我们必须作为自然界的事实接受这个详谬。光子也具有内禀自旋角动量,还具有与波长成正比的绕射能力,但光子的静质量却为零。

1897年汤姆森发现电子之后,人们只知道电子具有电性。20多年之后,电子自旋被发现。施特恩和盖拉斯发现电子还有磁性,命名为“自旋”。每一个自旋电子,都是一个小磁针,当把这枚小磁针放到一个强磁场里,它们会像指南针一样,顺着磁场的方向排列起来,小磁针也会绕着磁场不停地转,结果就出现了一个或者顺磁,或者逆磁的磁矩,对于电子来说,这个磁矩就为电子的磁矩。电子的自旋现象首先在碱金属元素的发射光谱研究中被发现。

 
                                                            电子自旋的发现
       1924年,沃尔夫冈·泡利首先引入他称为是“双值量子自由度”(two-valued quantum degree of freedom),与最外壳层的电子有关。这使他可以形式化地表述泡利不相容原理,即没有两个电子可以在同一时间共享相同的量子态。泡利的“自由度”的物理解释最初是未知的。Ralph KronigLandé的一位助手,于1925年初提出它是由电子的自转产生的。当泡利听到这个想法时,他予以严厉的批驳,他指出为了产生足够的角动量,电子的假想表面必须以超过光速运动。这将违反相对论。很大程度上由于泡利的批评,Kronig决定不发表他的想法。

1925年秋天,两个年轻的荷兰物理学家产生了同样的想法,George UhlenbeckSamuel Goudsmit。在保罗.埃伦菲斯特的建议下,他们以一个小篇幅发表了他们的结果。它得到了正面的反应,特别是在Llewellyn Thomas消除了实验结果与 UhlenbeckGoudsmit(以及 Kronig 未发表的)计算之间的两个矛盾的系数之后。这个矛盾是由于电子指向的切结构必须纳入计算,附加到它的位置上;数学语言来说,需要一个纤维丛描述。切向丛效应是相加性的和相对论性的(比如在c趋近于无限时它消失了);在没有考虑切向空间朝向时其值只有一半,而且符号相反。因此这个复合效应与后来的相差系数2(Thomas precession)。尽管最初反对这个想法,泡利还是在1927年形式化了自旋理论,运用了埃尔文·薛定谔和沃纳·海森堡发现的现代量子力学理论。他开拓性地使用泡利矩阵作为一个自旋算子的群表述,并且引入了一个二元旋量波函数

泡利的自旋理论是非相对论性的。然而,在1928年,保罗.狄拉克发表了狄拉克方程式,描述了相对论性的电子。在狄拉克方程式中,一个四元旋量所谓的“狄拉克旋量”被用于电子波函数。在1940年,泡利证明了“自旋统计定理”,它表述了费米子具有半整数自旋,玻色子具有整数自旋。

经过多年发展,小到手表,大到宇宙,电子的电性有了充分利用。但是磁性一直沉睡着。1988年发现巨磁电阻效应,其科学意义在于第一次揭示了电子的另外一个行为——自旋的作用。物质在一定磁场下电阻改变的现象,称为“磁阻效应”,磁性金属和合金材料一般都有这种磁电阻现象。

                                           电子自旋的发现

                                                             巨磁阻效应示意图

通常情况下,物质的电阻率在磁场中仅产生轻微的减小;在某种条件下,电阻率减小的幅度相当大,比通常磁性金属与合金材料的磁电阻值约高10余倍,称为“巨磁阻效应”(GMR);而在很强的磁场中某些绝缘体会突然变为导体,称为“超巨磁阻效应”(CMR)。

如右图所示,左面和右面的材料结构相同,两侧是磁性材料薄膜层(蓝色),中间是非磁性材料薄膜层(橘色)。

左面的结构中,两层磁性材料的磁化方向相同。当一束自旋方向与磁性材料磁化方向都相同的电子通过时,电子较容易通过两层磁性材料,都呈现小电阻。当一束自旋方向与磁性材料磁化方向都相反的电子通过时,电子较难通过两层磁性材料,都呈现大电阻。这是因为电子的自旋方向与材料的磁化方向相反,产生散射,通过的电子数减少,从而使得电流减小。

右面的结构中,两层磁性材料的磁化方向相反。当一束自旋方向与第一层磁性材料磁化方向相同的电子通过时,电子较容易通过,呈现小电阻;但较难通过第二层磁化方向与电子自旋方向相反的磁性材料,呈现大电阻。当一束自旋方向与第一层磁性材料磁化方向相反的电子通过时,电子较难通过,呈现大电阻;但较容易通过第二层磁化方向与电子自旋方向相同的磁性材料,呈现小电阻。



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