加载中…透射电子显微镜TransmissionElectronMicroscope_TEM_设备型号能力_服务项目
(2022-08-22 12:04:50)
标签：
透射电子显微镜transmissionelectrontem设备 |
分类： 产品测试 |
微区分析技术TEM
透射电子显微镜(Transmission Electron
Microscope,简称TEM)，是一种以电子束为光源的基于电子显微学的微观物理结构分析技术，分辨率最高可以达到0.1nm左右。TEM技术的出现，大大提高了人类肉眼观察显微结构的极限，是必不可少的显微观察设备，也是工艺研发、工艺异常分析等不可缺少的设备。
设备能力介绍
TEM设备
TEM型号：Talos F200X
参数
1 电子枪：X-FEG 200Kv时亮度1.8*109 [A/cm2/Sr]
2 EDS类型/面积：Super-X(120mm2)
3 HRTEM信息分辨率：0.12 nm HRSTEM分辨率：0.16 nm
TEM样品制备设备DB FIB
DB FIB型号：Helios 5 CX
参数
1 离子源：液态镓离子源
2 EDS类型/面积：Ultim Max65/65mm2
3 离子束分辨率：2.5 nm@30Kv
4 电子束分辨率：1.0 nm@1.0 Kv,0.6nm@15Kv
TEM服务项目介绍
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服务项目
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服务内容
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面向客户
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| 晶圆制造工艺分析 | 1、7nm及以上制程芯片晶圆制造工艺分析 2、MOSFET制造工艺分析 3、存储芯片制造工艺分析 |
晶圆厂 |
| 芯片失效分析 |
1、芯片失效点位置分析，包含漏电、短路、烧毁、异物等异常失效点位的平面制样分析、截面制样分析以及平面转截面分析。包含形貌观察、尺寸量测、成分分析。可精准到1.0
nm以内。 2、芯片制造工艺缺陷分析，包含形貌观察、尺寸量测、成分分析，可精准到1.0 nm以内。 |
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| 芯片逆向分析 | 芯片关键工艺结构剖析，包含尺寸量测、成分分析等。 | |
| 半导体器件失效分析 | MOSFET、VCSEL等半导体器件失效点位置分析，包含形貌观察、尺寸量测、成分分析，可精准到1.0 nm以内。 | |
| 芯片及半导体器件封装工艺分析 | 封装工艺异常分析，如TSV孔、Via孔、RDL布线层异常分析。 | 封装厂 |
| 半导体工艺分析 | 刻蚀工艺、镀膜工艺等半导体工艺分析 | |
| 材料分析 | 材料成分分析、晶型分析、晶格缺陷分析、原子级高分辨分析等 |
更多相关信息，欢迎咨询 广电计量 杜飞 18027138809
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