全球SiC市场上的主要厂商包括德国英飞凌（Infineon Technologies AG）、美国科锐（CREE Inc, Wolfspeed）、日本罗姆半导体（ROHM Semiconductor）、瑞士意法半导体（STMicroelectronics N.V.）、美国安森美半导体（ON Semiconductor）、美国United Silicon Carbide, Inc.、美国通用电气（General Electric）、美国GeneSiC Semiconductor Inc.、日本富士电机公司（Fuji Electric Co., Ltd.）

美国GENESIC作为SiC行业知名公司，为高压功率半导体应用，提供高质量和低成本的解决方案，为客户创新及研发更有竞争性的产品创造环境。

目前，Genesic推出多款业内领先的3300V，1700V的SiC碳化硅MOSFET，基本信息如下：

具体型号为：

GR1000MT33J  3300V  1000mΩ  TO-263-7

GR350MT33J    3300V  350mΩ  TO-263-7

GR80MT33J      3300V  80mΩ  TO-263-7

GR1000MT17D  1700V  1000mΩ  TO-247-3

GR1000MT17J   1700V  1000mΩ  TO-263-7

GR45MT17K      1700V  45mΩ  TO-247-4

GR20MT17K      1700V  20mΩ  TO-247-4

另外：GeneSiC在其GA100SIC系列产品上结合了先进的绝缘栅双极晶体管（IGBT）的低损耗与SiC二极管，通过用基于SiC的肖特基整流器（SiC-based Schottky rectifiers）取代传统的硅续流二极管（freewheeling diodes），开关性能得到大幅度提升。

另外，Genesic还有多款1200V及以下级别的Mosfet