1.正向特性

　肖特基二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的A（A′）点的电压称为死区电压或门槛电压（也称阈值电压），硅管约为0.5V，锗管约为0.1V，如图中OA（OA′）段。

当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，肖特基二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V，如图中AB（A′B′）段。

　　肖特基二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过值，否则将烧坏PN结。

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　　2.反向特性

　　肖特基二极管两端加上反向电压时，在开始很大范围内，肖特基二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR，见图中OC（OC′）段。

http://s11/mw690/007bZUB8zy7p3yZulsK2a&690

　　3.反向击穿特性

　　肖特基二极管反向电压加到一定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压，用UBR表示，如图1.11中CD（C′D′）段。

http://s3/mw690/007bZUB8zy7p3z12kWC62&690

　　4.温度对特性的影响

　　由于肖特基二极管的核心是一个PN结，它的导电性能与温度有关，温度升高时肖特基二极管正向特性曲线向左移动，正向压降减小;反向特性曲线向下移动，反向电流增大。

http://s9/mw690/007bZUB8zy7p3z28rYkc8&690