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王晓东，莒县寨里河镇穆家寨村人，1972年6月生。1991年考入青岛大学，1995年考入北京科技大学硕士研究生，1998年考入中国科学院半导体攻读博士。现任中科院半导体研究所研究员，博士生导师。 

　　2001年毕业于中科院半导体所获博士学位，研究方向为长波长自组织In(Ga)As/GaAs量子点的分子束外延生长。2001年到2002年，日本国立神户大学Venture Business实验室，讲师、研究机关研究员身份，主要进行了III-V族异质结构的研究。2002年到2004年，在瑞典chalmers工学院微技术与纳米科学系(MC2)光子学实验室做博士后研究，主要研究长波长自组织In(Ga)As量子点激光器和GaInNAs量子阱激光器。2004年到现在任职于中科院半导体所集成技术工程研究中心，主要负责多种微纳器件加工及高质量光学膜技术等；研究领域涉及半导体量子点光电器件，相变存储器件，高效太阳能电池，纳米热电器件等。 

　　近年主要科研成果： 

　　在半导体量子点器件研究方面，研制出量子点场效应管光电探测器件，发现器件的负微分电阻等现象并提出了物理模型。在高效多结太阳能电池方面，研究了III-V电池的制备工艺及其优化技术，并且进行了纳米陷光结构研究，所获成果被同行多次引用。在光学膜应用方面，成功改善多种光电器件的性能，如明显提升大功率LED的出光效率等。同时，还负责了大量对外工艺服务项目，涉及国内外多家研究机构，大学，及公司企业等，内容包含了微电子、光电子等众多领域，积累了丰富的技术经验。完成与在研多项国家自然科学基金、863、973等科研项目，在国内外核心期刊发表论文60余篇，培养博士、硕士多名。 

　　主要研究方向： 

　　半导体微纳器件技术，纳米热电结构与器件，高效叠层太阳电池 

　　联系方式： 

　　电话：010-82305042；E-mail：xdwang@semi.ac.cn 

　　承担的主要科研项目： 

　　1. 国家863项目“大功率GaN电子器件用大尺寸SiC衬底制备及外延技术研究”（2014年至2016年） 

　　2. 国家自然科学基金面上项目“基于纳米陷光结构的柔性高效薄膜太阳电池研究”（2013年至2016年）及“基于锑化物超晶格的热电结构及其器件研究”（2015年至2018年） 

　　3. 北京市科委重点项目，功率器件用硅基GaN外延片研究（2013年至2015年）