化学机械抛光，英文简称为：CMP。CMP是化学和机械的综合作用，在一定压力及抛光浆料存在下，在抛光液中的腐蚀介质作用下工件表面形成一层软化蹭，抛光液中的磨粒对于工件上的软化层进行磨削，因而在研磨的 工件表面形成光洁表面

抛光皮在化学机械抛光的作用，第一能把抛光液有效均匀地输送到抛光皮的不用区域；第二从被加工表面带走抛光过程中的残留五指、碎屑等，达到去除效果。第三传递和承载加工去除过程中所需的机械载荷；第四维持抛光皮表面的抛光液薄膜，以便化学反应充分进行；第五保持抛光过程的平稳、表面不变形，以便获得较好的产品表面形貌。

很多用家都喜欢把抛光皮开槽。开槽能够提供抛光皮自身的追从性，抛光皮沟槽形状对抛光液的运送及均匀分布、化学反应速度、反应产物及其浓度，材料去除速率会产生重要影响，是改变抛光垫性能的最主要途径。抛光皮常规开槽种类有正螺旋对数型、负螺旋对数型，圆环型和网络型。

抛光皮按照材质可分为不织布磨皮、聚氨酯硬质磨皮、阻尼布磨皮。此处重点介绍阻尼布磨皮，阻尼布磨皮也成阻尼布、抛光垫。阻尼布磨皮是聚氨酯树脂和发泡添加剂颜料（炭黑）等混合后放入水中凝固，干燥成薄膜状。然后通过抛光加工，粘上基材和双面胶得到最终产品。阻尼布应用于高平滑行，低欠陷性的精磨工序。没有经过抛光的阻尼布主要作为吸附垫应用于玻璃等的研磨。所以阻尼布在半导体晶片，硬盘，LCD玻璃主板，蓝宝石玻璃的精磨得到广泛的应用。

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