当任何带电体试图变为电中性时，就会发生静电放电，对ESD电压敏感的电子零件称为静电敏感器件，英锐恩单片机开发工程师介绍，在ESD期间，存储在身体中的静电荷会通过直接的物理接触，感应或电弧迅速转移到具有不同电位的另一份身体中，ESD产生的电压会损坏电子元件。

一、什么是静电放电？

静电放电是在接触的物体之间无意间产生的电荷流动。它是自发的，也可能是非接触通过电弧和耦合引起的。ESD的特点是电压，它表示电荷转移的物体之间的电位差。电压可以从几伏到千伏。

二、静电放电的后果

在电子行业，ESD是一项代价高昂的事件。在制造过程中意外发生ESD会降低质量和可靠性，甚至导致完全故障。

三、静电放电的损坏类型

1、  参数失效：当ESD能够改变组件的一个或多个参数时，这种影响称为参数失效。这种类型的ESD损坏不会使组件失效，但会导致规格书中给出的值发生变化

2、  灾难性损坏：这种类型的ESD事件会完全损坏电子元件，多次ESD事件后可能hi发生灾难性损坏。静电场的存在是灾难性ESD损坏的主要原因之一

3、  潜在损坏：在潜在损坏的情况下，ESD事件不会被注意到，并且设备会继续正常运行，但会受到中度损坏。潜在损坏会缩短电子元件的负载寿命，对受ESD影响的元件施加操作应力最终会导致性能退化和器件故障，这种类型的ESD损坏在重新测量和目视检查中无法检测到。每个组件的ESD敏感度和后续损坏程度都不同，ESD损坏取决于ESD元件的耐压能力和散热能力。

四、        常见的ESD敏感元件

1、  电阻器：薄膜和厚膜电阻器对ESD很敏感。ESD导致薄膜电阻器中的薄膜破裂并导致容差值发生变化，在厚膜电阻器中，经受ESD会降低电阻值。有时，ESD被用作厚膜电阻器的修正方法，以防止电阻值过冲。基于箔的电阻器相对不受ESD影响。

2、  电容器：电解电容器和陶瓷电容器的ESD敏感性随着施加的电压而增加。相比之下，半导体电容器和低压电容器属于ESD灵敏度范围，因为它们即使在低电压下也会损坏。

3、  MOSFET：MOSFET易受ESD影响。它们的ESD敏感性表现为绝缘击穿，热过应力、金属化故障或MOSFET中的材料迁移。ESD能够在正向和反向偏置条件下在PN结中产生故障模式

4、  集成电路：ESD会导致IC出现故障，

5、  LED：LED对ESD极为敏感，其影响范围从语气寿命缩短到灾难性损坏，大多数LED都配备了ESD抑制器，以保护LED芯片免受ESD影响，在没有内置ESD抑制器的小型LED的情况下，外部ESD抑制器被放置在非常靠近的位置，作为一种ESD预防方法。

对ESD敏感元件实施适当的ESD缓解方法以提高关键电子电路的可靠性和精度非常重要。

以上就是英锐恩工程师为大家分享的相关知识，希望能为大家带来帮助！英锐恩专注提供8位单片机、16位单片机、32位单片机。