高压MOS管1000V/2AKNX41100PDF数据手册【中文资料】_KIA半导体

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高压MOS管1000V/2AKNX41100PDF数据手册【中文资料】

(2022-08-12 16:21:28)

标签：

分类： MOS管

高压MOS管1000V/2A

N沟道MOSFET–KNX41100A漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2sk119，主适用于LED照明驱动电源，充电桩等等。

高压MOS管1000V/2A

产品特点:

符合RoHS

RDS（ON）.typ=9.6Ω@VGS=10V

低栅极充电可尽量减少开关损耗

快速恢复体二极管

高压MOS管1000V/2A

可申请样品及报价和有技术支持，有什么问题有技术员帮忙解决问题！有需要或想了解下的可以加扣扣：2880195519、手机：18123972950

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