加载中…MOS管公式详解-驱动电流及其饱和区电流
(2022-06-24 11:23:25)
标签：
mos管公式 |
分类： MOS管 |
mos管公式详解
一、反应时间T（nS）：
二、驱动功率P（mW）：
三、热效应E（J）：
mos管公式驱动电流的估算第一种：
可以使用如下公式估算：
1g=Qg/Ton
其中：
Ton=t3-t0≈td（on）+tr
td（on）：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。
Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Qg=（CEI）（VGS）或Qg=Qgs+Qgd+Qod（可在datasheet中找到）
mos管公式驱动电流的估算第二种：
密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/g；
Ig=[Vb-Vgs（th）]/Rg；
Ig:MOS栅极驱动电流；
Vb：稳态棚极驱动电压；
mos管公式驱动电流的估算第三种：
以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total
Gate
Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在0.2us内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：
67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。
mos管公式饱和区电流公式，在强反型状态下饱和区中的工作。小信号参数的值因MOS晶体管的工作区域而变化。假定MOS晶体管处于VGS比阈值电压VT高得多的强反型状态，而且工作在饱和区，求这种状况下的小信号参数。
可将跨导gm表示如下：
在能够疏忽沟道长度调制效应的状况下，得到
这个跨导gm能够用漏极电流ID表示为
也能够用漏极电流ID和栅极-源极间电压VGS表示为
体跨导gmb能够由下式求得：
由式（1.18）和式（1.20），能够分别导出
所以得到
应用式（1.18），能够将漏极电导表示为
应用这些小信号参数，能够将小信号漏极电流id表示为下式：
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