加载中…MOS管驱动电流计算方式-有三种公式估算解析
(2022-05-07 16:10:38)
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mos管驱动计算方式 |
分类： MOS管 |
MOS管驱动电流计算方式-有三种公式估算解析
第一种：
第一种：
可以使用如下公式估算：
Ig=Qg/Ton其中：
Ton=t3-t0~td（on）+tr
td（on）：MoS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。
Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间Qg=（CEI）（VGS）或Qg=Qgs+Qgd+Qod（可在datasheet中找到）
第二种：
（第一种的变形）密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig；Ig=[Vb-Vgs（th）]/Rg；Ig:MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；
第三种：
以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条TotalGate
Charge曲线。
该曲线先上升然后几乎水平再上升。
水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在0.2us内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。
联系方式：邹先生
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