碳化硅肖特基二极管早已有之。它是一种金属与半导体硅接触的二极管，由于它的这种特殊结构，使其具有如下不同寻常的特性：

碳化硅肖特基二极管比PN结器件的行为特性更像一个理想的开关。肖特基二极管最重要的两个性能指标就是它的低反向恢复电荷(Qrr)和它的恢复软化系数。

低Qrr在二极管电压换成反向偏置时，关闭过程所需时间，即反向恢复时间trr大大缩短。下表所列肖特基二极管trr小于0.01微妙。便于用于高频范围，有资料介绍其工作频率可达1MHz(也有报道可达100GHz)。高软化系数会减少二极管关闭所产生的EMI噪声，降低换向操作干扰。

碳化硅肖特基二极管还有一个比PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。

碳化硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。

碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。

它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。

其优点是：

(1) 碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小。

(2) 碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。

(3) 碳化硅有高的热导率，因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻。

(4) 碳化硅器件可工作在高温，碳化硅器件已有工作在600ºC的报道，而硅器件的最大工作温度仅为150ºC.

(5) 碳化硅具有很高的抗辐照能力。

(6) 碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小，可靠性好。

(7) 碳化硅器件具有很好的反向恢复特性，反向恢复电流小，开关损耗小。碳化硅功率器件可工作在高频(>20KHz)。

(8) 碳化硅器件为减少功率器件体积和降低电路损耗作出了重要贡献。

碳化硅肖特基二极管是一种单极型器件，因此相比于传统的硅快恢复二极管（Si FRD），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。在器件从正向导通向反向阻断转换时，几乎没有反向恢复电流（如图1.2a），反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A的碳化硅肖特基二

极管的反向恢复时间在10ns以内。因此碳化硅肖特基二极管可以工作在更高的频率，在相同频率下具有更高的效率。另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数，随着温度的上升电阻也逐渐上升，这与硅FRD正好相反。这使得碳化硅肖特基二极管非常适合

并联实用，增加了系统的安全性和可靠性。

概括碳化硅肖特基二极管的主要优势，有如下特点：

1. 几乎无开关损耗

2. 更高的开关频率

3. 更高的效率

4. 更高的工作温度

5. 正的温度系数，适合于并联工作

6. 开关特性几乎与温度无关