通态电阻：RDS (ON)

    RDS(ON)（Static Drain-to-Source On-Resistance，静态通态电阻）是VMOS导通时漏—源极之间的等效电阻。在非饱和状态，RDS(DN)是随着栅极偏置电压VGS的提高而降低的，到饱和导通状态时达到最低值。在饱和导通状态，如果忽略温度的变化，RDS(ON)几乎不受漏极电流的影响。换言之，一定温度条件下，饱和导通的VMOS的RDS，ON)几乎是一个定值。

    根据欧姆定律不难明白，RDS (ON)是VMOS导通功耗的决定性因素。低电压规格的VMOS的RDS (ON)很低，这就意味着在开关状态下，低电压规格的VMOS的自身功耗很低，这是VMOS近年来发展迅速的主要原因之一。另外，RDS(ON)对开关功耗也有一定的影响。

    除了VGS，温度是影响RDS (ON)的一个主要因素，与导通状态无关，无论是放大状态还是开关状态，温度的影响都十分明显。

    早期产品的技术手册中，RDS (ON)的含义侧重于“通态电阻”，即非饱和导通状态和饱和导通时的等效电阻，现在的产品手册中，RDS(ON)的含义则侧重于“饱和导通”，即饱和状态下的等效电阻。无论侧重于什么，总是和导通状态有关的，与之相关的测定参数是栅极偏置电压VGS，多数手册还会给出漏极电流ID，主要的原因是过去习惯的延续，对于非饱和导通状态的VMOS而言，RDS（ON)与ID的关系还是比较密切的。

    技术手册除了在技术参数表格中给出RDS（ON)的典型值，一般还会给出RDS（ON)特性曲线。图3.9是2SK2313的RDS（ON)特性曲线，这款VMOS的上市时间虽然不算太早，但是现在已经停产，在它的特性曲线上，给出了浅度饱和条件和深度饱和条件下的通态电阻。2SK2313的开启电压比较低（2V左右），VGS=4V时已经退出线性区，进入了饱和导通状态，但是还没有完全饱和（深度饱和），VGS=10V时，显然已经完全饱和了（实际上不需要这么高的偏置电压）。

   对于常见的VMOS，开启电压大约为4.5V，到10V时也已经基本进入完全饱和状态了。

    现在的技术手册给出的RDS（ON)特性曲线，一般只有VGS=10V这一组。并且有些手册给出的曲线，纵轴不再是通态电阻本身，而是名为“标准化通态电阻”的变量，这是一个相对值，相对于Tc或者T1＝25℃时RDS（ON)的值（饱和导通状态下的标准值），除了表明RDS(ON)，对应温度的变化趋势，还考虑了其他因素的影响，使这种对应关系更为准确。而标准值，需要到手册中的技术表格中查询。

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    饱和导通条件下，RDS（ON)随着温度的升高有增加的趋势，结温Tc从25℃增加到100℃时，RDS（ON)大约会增加1倍，这意味着随着温度的升高，漏—源极的压降升高，漏极电流有减小的趋势，漏极功耗则有增加的趋势。在配置独立散热器的时候应该注意到这一点。

    根据2006年美国APT公司给出的研究资料，VMOS的电压规格与饱和导通电阻的变化趋势如图3.10所示。因为技术的发展，这种关系的变化与时http://www/uc/myshow/blog/misc/gif/E___6743EN00SIGG.gif(ON)" TITLE="通态电阻参数：RDS (ON)" />代是有关系的，但是总的趋势不会发生根本性的变化。