二、场效应管的分类

    场效应管可分为两类：一类是结型场效应管，另一类是绝缘栅型场效应管，也称MOS管。结型场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，又分为N沟道和P沟道两种；绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之分外，还有增强型与耗尽型之分。如图6-2所示。

    1．结型场效应管(简称JFET)

    N沟道结型场效应管的基体是一块N型硅材料。从基体引出两个电极分别叫源极(s)和漏极(D)。在基体两边各附一小片P型材料，其引出的电极叫栅极(G)。这样，在沟道和栅极之间形成了两个PN结，当栅极开路时，沟道就相当于—个电阻，不同型号的管了其阻值相同，一般大约为数百欧到千欧。图6-3所示为结型场效应管的结构与符号。

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    2．绝缘栅型场效应管(简称MOSFET)

    根据绝缘层所用材料之不同，绝缘栅型场效应管有多种类型，目前应用最广泛的一种是以二氧化硅( Sio2)为绝缘层的金属—氧化物—半导体\( Metal-Oxide-Semiconductor)场效应管，简称MOS场效应管(MOSFET)。

    绝缘栅型场效应管分为增强型与耗尽型，每一类义有N沟道、P沟道之分。

    绝缘栅型场效应管KIA的特点是输人电阻高，便于做成集成电路。在一块N型硅片上有两个相距很近浓度很高的P扩散区，分别为源极和漏极。在源区与漏区之间的硅片上，有一层绝缘二氧化硅，绝缘层上覆盖着金属铝，这就是栅极。栅极和其他电极之间是绝缘的，所以称为绝缘栅型场效应管。由于源、栅之间有一层氧化层，这种管子基本上没有栅极电流，因此输入阻抗非常高。图6-4所示为绝缘栅型场效应管的结构与符号。

http://s4/mw690/006yo0Fmzy7d7KEhikba3&690