对压阻式压力传感器使用新的信号处理技术的半导体元件能够对标准误差参数进行精确、自动和低成本的电子补偿。由此产生的简化和便利性开辟了广阔的新应用领域，包括将桥式传感器用于压力以外的特性。由于大多数控制系统使用电信号进行操作，因此在进一步处理或分析之前，必须将压力或力转换为电流或电压。

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　　电容和电阻信号传感器通常用于此目的。电容式传感器将压力检测为与两个（或更多）隔膜之间的距离相关的电容，该距离随压力的变化而变化。为了提供有用的输出，这种电容变化通常表示为交流信号的衰减或谐振电路中的频移。在电阻式传感器中，压力通过使传感器机械变形来改变电阻，例如，使桥式电路中的电阻器能够将压力检测为跨过桥的比例差分电压。

　　传统的电阻式压力测量设备包括薄膜电阻器、应变仪、金属合金和多晶半导体。近年来，单晶硅压力传感器得到广泛应用。虽然采用半导体技术制造，但它们也根据电阻原理运行。单晶半导体中的电阻变化（压电效应）明显高于标准应变仪中的电阻变化，标准应变仪的电阻随结构的几何变化而变化。掺杂半导体的电导率受极小的机械变形所产生的变化（晶体网格的压缩或拉伸）的影响。因此，单晶传感器的灵敏度高于大多数其他类型的传感器。

　　具体优点是：

　　1.高灵敏度，>10mV/V

　　2.在恒定温度下具有良好的线性度

　　3.能够在没有信号滞后的情况下跟踪压力变化，达到破坏性极限

　　缺点是：

　　1.满量程信号对温度的强非线性依赖性（高达1%/开尔文）

　　2.大的初始偏移（高达满量程的100%或更多）

　　3.偏移随温度的强烈漂移

　　在一定限度内，这些缺点可以用电子电路来弥补。