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（反激）变压器反推设计之绕组

(2014-11-17 11:44:20)

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分类：变压器

大比特论坛文章《（反激）变压器反推设计之绕组》

变压器各绕组的影响：

1.初级绕组影响变压器饱和：ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae<0.3T从公式可以看出Np越大越不容易饱和。

2.初级绕组影响次级绕组圈数：NS=（Vo+Vd）*（1-Dmax)*NP/（VINmin*Dmax）

3.次级绕组影响反馈绕组：Nvcc=Vcc/Va Va=（Vo+Vd）/Ns

4.匝比影响肖特基反向电压：Vd=Vmax/Np*Ns+Vo

5.匝比影响MOS耐压:Vds=Vinmax+漏感+Vor Vor=（Vo+Vd）/Ns/Np

6.匝比影响效率：匝比越大效率越高。

7.匝比影响占空比：Dmax=Vor/（Vor+Vinmin） Vor=（Vo+Vd）/Ns/Np

绕组排列：

1. 初级绕组必须在最里层：这样可以缩短每匝导线的长度，减小其分布电容，同时初级绕组还能被其他绕组屏蔽，降低其电磁干扰。

2. 初级绕组的起始端应接到MOSFET 漏极：利用初级绕组的其余部分和其他绕组将其屏蔽，较小从初级耦合到其他地方的电磁干扰。

3. 初级绕组设计成2 层以下：这样能把初级分布电容和漏感降到最低，在初级各层间加1 绝缘层，能将分布电容减小到原来的1/4 左右。

4. 绕制多路输出的次级绕组：输出功率最大的次级绕组应靠近初级，以减小漏感。如次级匝数少，无法绕满一层，可在匝间留间隙以便充满整个骨架，当然最好是采用多股并绕的方法。

5. 反馈绕组一般在最外层：此时反馈绕组与次级绕组间耦合最强，对输出电压的变化反应灵敏，还能减小反馈绕组与初级绕组的耦合程度以提高稳定性。

6. 屏蔽层的设计：在初、次级之间增加屏蔽层可减小共模干扰，最经济的办法是在初次级间专绕一层漆包线，一端接Vi（或Vd），另一端悬空并用绝缘带绝缘而不引出。但是因为线于线之间有间隙没有铜箔效果好。

7. 铜片屏蔽带：可用1 铜片环绕在变压器外部，构成屏蔽带，相当于短路环，对泄漏磁场起抑制作用，屏蔽带应与Vd 连通。

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