（2025年）4月29日消息，据环球时报旗下账号“哇喔·环球新科技”、观察者网等报道，中国科学院上海光学精密机械研究所（简称中国科学院上海光机所）林楠研究员带领团队，绕过二氧化碳激光，使用固体激光器技术成功开发出LPP-EUV光源，已经达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义。

上述报道称，该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍。

据悉，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，主要关注能量转换效率（CE）。二氧化碳激光器激发的Sn等离子体 CE大于5%，是ASML光刻机的驱动光源，但此前这类光源由美国Cymer制造，在世界范围内处于垄断地位。       

因此，林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，但能量效率需要进一步提升。目前林楠团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平，虽然没有超过4%，但已经达到了商用光源5.5%转化效率的一半。

林楠团队研究人员估计，光源实验平台的理论最大转换效率可能接近6%，团队正计划增加进一步的研究，未来有望进一步实现国产EUV光刻技术。据了解，相关研究论文已经在近期成果发表在《中国激光》杂志今年第6期（2025年3月下）封面。

……即使转换效率只有3%，固态激光驱动的 LPP-EUV 光源也能提供瓦级功率，使其适用于 EUV 曝光验证和掩模检查”。论文中指出，虽然商用二氧化碳激光器功率很高，但它们体积庞大，电光转换效率低（低于 5%），而且运行和电力成本高昂。而固体脉冲激光器近十年来取得了快速发展，目前已达到千瓦级的功率输出，未来有望达到10倍以上。

需要说明的是，目前固体激光驱动等离子体EUV光源，或者说1 μm固体激光驱动Sn等离子体EUV光源的研究仍处于初期实验阶段，还未完全走向商业化。