半导体光刻胶是制备芯片的核心原材料，而我国半导体光刻胶与先进国家差距达30余年。根据光源及其曝光方式的不同，可将半导体光刻胶分为“G/I 线胶”、“KrF胶”、“ArF胶”、“浸没式ArF胶”、“EUV胶”，其分别对应350 nm、110 nm、65 nm、35 nm、7 nm的极限芯片制程。当前我国除“G/I 线胶”能完全自主外，其余类基本空白，虽然部分厂商可生产KrF型光刻胶，但当前存在自主知识产权匮乏、研发投入大等问题，导致市场占有率不足1%。

当前经济规律促使全球半导体产业东移，而美国芯片法案强制高端制造业回流，大国科技竞争愈演愈烈。光刻胶是芯片制造关键一环，技术门槛高，2019年日本利用光刻胶制裁韩国半导体，光刻胶已成为国家战略资源。

由清华大学核研院光刻胶与新材料方向徐宏副教授领头研发的，采用了国际最前沿的纳米氧化物团簇材料的工艺路线，可以实现单2 nm小分子的光刻胶成膜树脂材料，攻克了材料合成和纳米材料提纯的难题，可满足目前半导体3 nm制程节点的技术要求，RLS分辨率、边缘粗糙度、灵敏度三项关键性能指标优异，其曝光剂量远低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本线。此外，本项技术具有多种半导体光刻胶兼容性，可以生产248 nm和193 nm光源的半导体光刻胶成膜树脂，电子束半导体掩膜用光刻胶成膜树脂以及6G光芯片调制解调器等，具有广阔的技术替代优势和市场应用前景。