MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。

PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点

100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ @Vcs=10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合RoHS环保标准

SVG032R4NL5N关键特性参数

SVG032R4NL5100A、30VN沟道增强型场效应管采用PDFN56封装，具有100A、30V的电流、电压，RDS(on) = 2.0mΩtyp) ，封装、参数和PKC26BB基本一致，可兼容替代尼克森PKC26BB，广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

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